Standard

Люминесценция структур ZnMnTe/ZnMgTe и CdMnTe/CdMgTe с различными параметрами квантовых ям. / Агекян, В.Ф.; Серов, А.Ю.; Философов, Н.Г.; Karczewski, G.

в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Том 47, № 1, 2013, стр. 48-52.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Агекян, ВФ, Серов, АЮ, Философов, НГ & Karczewski, G 2013, 'Люминесценция структур ZnMnTe/ZnMgTe и CdMnTe/CdMgTe с различными параметрами квантовых ям', ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Том. 47, № 1, стр. 48-52.

APA

Агекян, В. Ф., Серов, А. Ю., Философов, Н. Г., & Karczewski, G. (2013). Люминесценция структур ZnMnTe/ZnMgTe и CdMnTe/CdMgTe с различными параметрами квантовых ям. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, 47(1), 48-52.

Vancouver

Агекян ВФ, Серов АЮ, Философов НГ, Karczewski G. Люминесценция структур ZnMnTe/ZnMgTe и CdMnTe/CdMgTe с различными параметрами квантовых ям. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2013;47(1):48-52.

Author

Агекян, В.Ф. ; Серов, А.Ю. ; Философов, Н.Г. ; Karczewski, G. / Люминесценция структур ZnMnTe/ZnMgTe и CdMnTe/CdMgTe с различными параметрами квантовых ям. в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2013 ; Том 47, № 1. стр. 48-52.

BibTeX

@article{197d5e84d2644ebbbd15453b1d62de1b,
title = "Люминесценция структур ZnMnTe/ZnMgTe и CdMnTe/CdMgTe с различными параметрами квантовых ям",
abstract = "Исследована низкотемпературная люминесценция структур с квантовыми ямами ZnMnTe/ZnMgTe и CdMnTe/CdMgTe с различными ширинами квантовых ям и концентрациями марганца при плотностях мощно- сти оптического возбуждения 104−106 Вт/см2. В результате насыщения нижайшего возбужденного состояния 4T1 3d-оболочки марганца становятся актуальными переходы в более высокие состояния, вследствие чего внутрицентровая люминесценция ионов Mn2+ деградирует при высоких уровнях возбуждения. Одновременно происходит зависящее от температуры насыщение основной полосы e1hh1 излучения экситонов квантовой ямы и появление полосы e2hh2. По мере усиления оптического возбуждения изменяется форма контура внутрицентровой люминесценции ионов Mn2+, что связано с более быстрым насыщением возбужденных состояний интерфейсных ионов. Для структур CdMnTe/CdMgTe установлено влияние ширины квантовых ям и концентрации марганца на распределение интенсивности излучения между экситонами квантовой ямы, экситонами барьера и 3d-оболочкой Mn2+.",
author = "В.Ф. Агекян and А.Ю. Серов and Н.Г. Философов and G. Karczewski",
year = "2013",
language = "русский",
volume = "47",
pages = "48--52",
journal = "ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "1",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Люминесценция структур ZnMnTe/ZnMgTe и CdMnTe/CdMgTe с различными параметрами квантовых ям

AU - Агекян, В.Ф.

AU - Серов, А.Ю.

AU - Философов, Н.Г.

AU - Karczewski, G.

PY - 2013

Y1 - 2013

N2 - Исследована низкотемпературная люминесценция структур с квантовыми ямами ZnMnTe/ZnMgTe и CdMnTe/CdMgTe с различными ширинами квантовых ям и концентрациями марганца при плотностях мощно- сти оптического возбуждения 104−106 Вт/см2. В результате насыщения нижайшего возбужденного состояния 4T1 3d-оболочки марганца становятся актуальными переходы в более высокие состояния, вследствие чего внутрицентровая люминесценция ионов Mn2+ деградирует при высоких уровнях возбуждения. Одновременно происходит зависящее от температуры насыщение основной полосы e1hh1 излучения экситонов квантовой ямы и появление полосы e2hh2. По мере усиления оптического возбуждения изменяется форма контура внутрицентровой люминесценции ионов Mn2+, что связано с более быстрым насыщением возбужденных состояний интерфейсных ионов. Для структур CdMnTe/CdMgTe установлено влияние ширины квантовых ям и концентрации марганца на распределение интенсивности излучения между экситонами квантовой ямы, экситонами барьера и 3d-оболочкой Mn2+.

AB - Исследована низкотемпературная люминесценция структур с квантовыми ямами ZnMnTe/ZnMgTe и CdMnTe/CdMgTe с различными ширинами квантовых ям и концентрациями марганца при плотностях мощно- сти оптического возбуждения 104−106 Вт/см2. В результате насыщения нижайшего возбужденного состояния 4T1 3d-оболочки марганца становятся актуальными переходы в более высокие состояния, вследствие чего внутрицентровая люминесценция ионов Mn2+ деградирует при высоких уровнях возбуждения. Одновременно происходит зависящее от температуры насыщение основной полосы e1hh1 излучения экситонов квантовой ямы и появление полосы e2hh2. По мере усиления оптического возбуждения изменяется форма контура внутрицентровой люминесценции ионов Mn2+, что связано с более быстрым насыщением возбужденных состояний интерфейсных ионов. Для структур CdMnTe/CdMgTe установлено влияние ширины квантовых ям и концентрации марганца на распределение интенсивности излучения между экситонами квантовой ямы, экситонами барьера и 3d-оболочкой Mn2+.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=20319338

M3 - статья

VL - 47

SP - 48

EP - 52

JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

SN - 0015-3222

IS - 1

ER -

ID: 5626892