Исследована низкотемпературная люминесценция структур с квантовыми ямами ZnMnTe/ZnMgTe и CdMnTe/CdMgTe с различными ширинами квантовых ям и концентрациями марганца при плотностях мощно- сти оптического возбуждения 104−106 Вт/см2. В результате насыщения нижайшего возбужденного состояния 4T1 3d-оболочки марганца становятся актуальными переходы в более высокие состояния, вследствие чего внутрицентровая люминесценция ионов Mn2+ деградирует при высоких уровнях возбуждения. Одновременно происходит зависящее от температуры насыщение основной полосы e1hh1 излучения экситонов квантовой ямы и появление полосы e2hh2. По мере усиления оптического возбуждения изменяется форма контура внутрицентровой люминесценции ионов Mn2+, что связано с более быстрым насыщением возбужденных состояний интерфейсных ионов. Для структур CdMnTe/CdMgTe установлено влияние ширины квантовых ям и концентрации марганца на распределение интенсивности излучения между экситонами квантовой ямы, экситонами барьера и 3d-оболочкой Mn2+.