Использование метода локальной катодолюминесценции структур Si-TiO2 и Si-SiO2-TiO2 способствует ответу на вопрос о природе центров, влияющих на работу мемристоров. Применение этого метода позволило установить, что электроформовка приводит к появлению во внешней части слоя TiO2, отличающегося высокой концентрацией дефектов, люминесценции в спектральном диапазоне 250-400 nm. Это позволяет сделать заключение о формировании резкой межфазовой границы между диэлектрическими слоями, получить качественную оценку коэффициента поглощения слоя TiO2 и оценить ширину его запрещенной зоны (~ 3.3 eV для данной технологии формирования окисного слоя).