Standard

Критерий селективного роста III-V и III-N нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках. / Дубровский, Владимир Германович; Лещенко, Егор Дмитриевич.

в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", Том 48, № 22, 2022, стр. 7.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Дубровский, ВГ & Лещенко, ЕД 2022, 'Критерий селективного роста III-V и III-N нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках', ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", Том. 48, № 22, стр. 7.

APA

Дубровский, В. Г., & Лещенко, Е. Д. (2022). Критерий селективного роста III-V и III-N нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках. ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", 48(22), 7.

Vancouver

Дубровский ВГ, Лещенко ЕД. Критерий селективного роста III-V и III-N нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках. ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 2022;48(22):7.

Author

Дубровский, Владимир Германович ; Лещенко, Егор Дмитриевич. / Критерий селективного роста III-V и III-N нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках. в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 2022 ; Том 48, № 22. стр. 7.

BibTeX

@article{dd74e6c2de024e2ab019bbc4842e29cf,
title = "Критерий селективного роста III-V и III-N нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках",
abstract = "Предложена модель начальной стадии нуклеации нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V, включая нитридные, при селективной эпитаксии на маскированных подложках с упорядоченными массивами отверстий. Получен критерий селективного роста, при котором нуклеация нитевидных нанокристаллов происходит только в отверстиях, а паразитный рост на поверхности маски отсутствует. Проведен анализ зон селективного роста в зависимости от температуры, потоков, радиуса отверстий и расстояния между ними. Ключевые слова: III-V нитевидные нанокристаллы, селективная эпитаксия, маскированная подложка, нуклеация.",
author = "Дубровский, {Владимир Германович} and Лещенко, {Егор Дмитриевич}",
year = "2022",
language = "русский",
volume = "48",
pages = "7",
journal = "ПИСЬМА В {"}ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ{"}",
issn = "0320-0116",
publisher = "ФТИ им.Иоффе",
number = "22",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Критерий селективного роста III-V и III-N нитевидных нанокристаллов на маскированных подложках

AU - Дубровский, Владимир Германович

AU - Лещенко, Егор Дмитриевич

PY - 2022

Y1 - 2022

N2 - Предложена модель начальной стадии нуклеации нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V, включая нитридные, при селективной эпитаксии на маскированных подложках с упорядоченными массивами отверстий. Получен критерий селективного роста, при котором нуклеация нитевидных нанокристаллов происходит только в отверстиях, а паразитный рост на поверхности маски отсутствует. Проведен анализ зон селективного роста в зависимости от температуры, потоков, радиуса отверстий и расстояния между ними. Ключевые слова: III-V нитевидные нанокристаллы, селективная эпитаксия, маскированная подложка, нуклеация.

AB - Предложена модель начальной стадии нуклеации нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V, включая нитридные, при селективной эпитаксии на маскированных подложках с упорядоченными массивами отверстий. Получен критерий селективного роста, при котором нуклеация нитевидных нанокристаллов происходит только в отверстиях, а паразитный рост на поверхности маски отсутствует. Проведен анализ зон селективного роста в зависимости от температуры, потоков, радиуса отверстий и расстояния между ними. Ключевые слова: III-V нитевидные нанокристаллы, селективная эпитаксия, маскированная подложка, нуклеация.

UR - http://journals.ioffe.ru/articles/53798

M3 - статья

VL - 48

SP - 7

JO - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

JF - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

SN - 0320-0116

IS - 22

ER -

ID: 100480372