Standard

Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов. / Кукушкин, С.А.; Осипов, А.В.; Осипова, Е.В.

в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", Том 48, № 20, 2022, стр. 43.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Кукушкин, СА, Осипов, АВ & Осипова, ЕВ 2022, 'Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов', ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", Том. 48, № 20, стр. 43.

APA

Кукушкин, С. А., Осипов, А. В., & Осипова, Е. В. (2022). Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов. ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", 48(20), 43.

Vancouver

Кукушкин СА, Осипов АВ, Осипова ЕВ. Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов. ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 2022;48(20):43.

Author

Кукушкин, С.А. ; Осипов, А.В. ; Осипова, Е.В. / Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов. в: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ". 2022 ; Том 48, № 20. стр. 43.

BibTeX

@article{db4d3f55d1f7412eb5f239a3a8f98989,
title = "Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов",
abstract = "Методом функционала плотности в спин-поляризованном приближении изучены свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов. Найдена наиболее выгодная конфигурация атомов на границе раздела. Показано, что SiC обращен к Si углеродной плоскостью, причем SiC отрывает три атома Si из 16 от второго слоя атомов подложки. В результате три атома Si в подложке имеют по три связи вместо четырех и три атома С в нижнем слое пленки SiC также имеют три связи. Именно эти атомы обладают магнитным моментом за счет неспаренных p-электронов. Установлено, что по электрону со спином вверх данная граница раздела является обычным полупроводником, а по электрону со спином вниз - двумерным ферромагнитным металлом. Ключевые слова: карбид кремния, ферромагнитные полуметаллы, терагерцевое излучение, метод функционала плотности, спинтроника.",
keywords = "карбид кремния, ферромагнитные полуметаллы, терагерцевое излучение, метод функционала плотности, спинтроника",
author = "С.А. Кукушкин and А.В. Осипов and Е.В. Осипова",
year = "2022",
language = "русский",
volume = "48",
pages = "43",
journal = "ПИСЬМА В {"}ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ{"}",
issn = "0320-0116",
publisher = "ФТИ им.Иоффе",
number = "20",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Спинтронные свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов

AU - Кукушкин, С.А.

AU - Осипов, А.В.

AU - Осипова, Е.В.

PY - 2022

Y1 - 2022

N2 - Методом функционала плотности в спин-поляризованном приближении изучены свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов. Найдена наиболее выгодная конфигурация атомов на границе раздела. Показано, что SiC обращен к Si углеродной плоскостью, причем SiC отрывает три атома Si из 16 от второго слоя атомов подложки. В результате три атома Si в подложке имеют по три связи вместо четырех и три атома С в нижнем слое пленки SiC также имеют три связи. Именно эти атомы обладают магнитным моментом за счет неспаренных p-электронов. Установлено, что по электрону со спином вверх данная граница раздела является обычным полупроводником, а по электрону со спином вниз - двумерным ферромагнитным металлом. Ключевые слова: карбид кремния, ферромагнитные полуметаллы, терагерцевое излучение, метод функционала плотности, спинтроника.

AB - Методом функционала плотности в спин-поляризованном приближении изучены свойства границы раздела между Si(111) и 3C-SiC(111), выращенным методом согласованного замещения атомов. Найдена наиболее выгодная конфигурация атомов на границе раздела. Показано, что SiC обращен к Si углеродной плоскостью, причем SiC отрывает три атома Si из 16 от второго слоя атомов подложки. В результате три атома Si в подложке имеют по три связи вместо четырех и три атома С в нижнем слое пленки SiC также имеют три связи. Именно эти атомы обладают магнитным моментом за счет неспаренных p-электронов. Установлено, что по электрону со спином вверх данная граница раздела является обычным полупроводником, а по электрону со спином вниз - двумерным ферромагнитным металлом. Ключевые слова: карбид кремния, ферромагнитные полуметаллы, терагерцевое излучение, метод функционала плотности, спинтроника.

KW - карбид кремния

KW - ферромагнитные полуметаллы

KW - терагерцевое излучение

KW - метод функционала плотности

KW - спинтроника

UR - https://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/53696

UR - http://journals.ioffe.ru/articles/53696

M3 - статья

VL - 48

SP - 43

JO - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

JF - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

SN - 0320-0116

IS - 20

ER -

ID: 100358661