Standard

Кинетика роста наномембран полупроводниковых соединений III-V с учетом потока ре-эмиссии. / Дубровский, Владимир Германович.

в: Письма в Журнал технической физики, Том 49, № 13, 2023, стр. 25-27.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Дубровский, ВГ 2023, 'Кинетика роста наномембран полупроводниковых соединений III-V с учетом потока ре-эмиссии', Письма в Журнал технической физики, Том. 49, № 13, стр. 25-27. https://doi.org/10.21883/PJTF.2023.13.55732.19590

APA

Дубровский, В. Г. (2023). Кинетика роста наномембран полупроводниковых соединений III-V с учетом потока ре-эмиссии. Письма в Журнал технической физики, 49(13), 25-27. https://doi.org/10.21883/PJTF.2023.13.55732.19590

Vancouver

Дубровский ВГ. Кинетика роста наномембран полупроводниковых соединений III-V с учетом потока ре-эмиссии. Письма в Журнал технической физики. 2023;49(13):25-27. https://doi.org/10.21883/PJTF.2023.13.55732.19590

Author

Дубровский, Владимир Германович. / Кинетика роста наномембран полупроводниковых соединений III-V с учетом потока ре-эмиссии. в: Письма в Журнал технической физики. 2023 ; Том 49, № 13. стр. 25-27.

BibTeX

@article{5d9b15aae433461d857e7f184e69bbf8,
title = "Кинетика роста наномембран полупроводниковых соединений III-V с учетом потока ре-эмиссии",
abstract = "Получено уравнение роста наномембран полупроводниковых соединений III-V на подложках с одномерными массивами полосков в оксидной маске с учетом потока реэмиссии элемента группы III. Показано, что высота наномембран увеличивается с увеличением расстояния между ними и уменьшением ширины мембран. Кинетика роста наномембран на маскированных подложках и их морфология сильно отличаются от случая адсорбирующих подложек, что необходимо учитывать при проведении ростовых экспериментов. Ключевые слова: полупроводниковые соединения III-V, наномембраны, поток реэмиссии, скорость роста, моделирование.",
author = "Дубровский, {Владимир Германович}",
year = "2023",
doi = "10.21883/PJTF.2023.13.55732.19590",
language = "русский",
volume = "49",
pages = "25--27",
journal = "ПИСЬМА В {"}ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ{"}",
issn = "0320-0116",
publisher = "ФТИ им.Иоффе",
number = "13",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Кинетика роста наномембран полупроводниковых соединений III-V с учетом потока ре-эмиссии

AU - Дубровский, Владимир Германович

PY - 2023

Y1 - 2023

N2 - Получено уравнение роста наномембран полупроводниковых соединений III-V на подложках с одномерными массивами полосков в оксидной маске с учетом потока реэмиссии элемента группы III. Показано, что высота наномембран увеличивается с увеличением расстояния между ними и уменьшением ширины мембран. Кинетика роста наномембран на маскированных подложках и их морфология сильно отличаются от случая адсорбирующих подложек, что необходимо учитывать при проведении ростовых экспериментов. Ключевые слова: полупроводниковые соединения III-V, наномембраны, поток реэмиссии, скорость роста, моделирование.

AB - Получено уравнение роста наномембран полупроводниковых соединений III-V на подложках с одномерными массивами полосков в оксидной маске с учетом потока реэмиссии элемента группы III. Показано, что высота наномембран увеличивается с увеличением расстояния между ними и уменьшением ширины мембран. Кинетика роста наномембран на маскированных подложках и их морфология сильно отличаются от случая адсорбирующих подложек, что необходимо учитывать при проведении ростовых экспериментов. Ключевые слова: полупроводниковые соединения III-V, наномембраны, поток реэмиссии, скорость роста, моделирование.

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/3ca94008-8633-364c-a028-446741e1bd98/

U2 - 10.21883/PJTF.2023.13.55732.19590

DO - 10.21883/PJTF.2023.13.55732.19590

M3 - статья

VL - 49

SP - 25

EP - 27

JO - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

JF - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ТЕХНИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

SN - 0320-0116

IS - 13

ER -

ID: 107027220