TY - JOUR

T1 - ОПРЕДЕЛЕНИЕ АБСОЛЮТНОЙ КОНЦЕНТРАЦИИ АТОМОВ В, AL, GA И SI В НЕРАВНОВЕСНОЙ ПЛАЗМЕ ПО ИСКАЖЕННЫМ РЕАБСОРБЦИЕЙ ОТНОШЕНИЯМ ИНТЕНСИВНОСТЕЙ В РЕЗОНАНСНЫХ МУЛЬТИПЛЕТАХ

AU - Лавров, Б. П.

AU - Рязанов, М. С.

PY - 2005

Y1 - 2005

N2 - Недавно предложенная методика спектроскопического определения концентрации атомов бора в неравновесной плазме распространена на атомы В, Al, Ga и Si и обобщена путем учета газовой температуры и небольцмановского распределения заселенности подуровней мультиплетной структуры основного состояния атомов. Предлагаемый подход основан на измерении искаженных реабсорбци-ей отношений интенсивностей пар спектральных линий, имеющих общий верхний уровень и при-надлежащих резонансному мультиплету. Показано, что при достаточно большой оптической толщине плазмы вдоль линии наблюдения измеряемые значения отношений интенсивностей зависят от газовой температуры плазмы Т и произведения NL полной концентрации нормальных атомов N и длины плазменного столба L вдоль линии наблюдения. Таким образом, при использовании резо-нансных дублетов атомов В, Al, Ga для определения концентраций N необходимо иметь данные о Т. Структура резонансного мультиплета Si позволяет измерять три независимых отношения интенсив-ностеи. Это дает не только в

AB - Недавно предложенная методика спектроскопического определения концентрации атомов бора в неравновесной плазме распространена на атомы В, Al, Ga и Si и обобщена путем учета газовой температуры и небольцмановского распределения заселенности подуровней мультиплетной структуры основного состояния атомов. Предлагаемый подход основан на измерении искаженных реабсорбци-ей отношений интенсивностей пар спектральных линий, имеющих общий верхний уровень и при-надлежащих резонансному мультиплету. Показано, что при достаточно большой оптической толщине плазмы вдоль линии наблюдения измеряемые значения отношений интенсивностей зависят от газовой температуры плазмы Т и произведения NL полной концентрации нормальных атомов N и длины плазменного столба L вдоль линии наблюдения. Таким образом, при использовании резо-нансных дублетов атомов В, Al, Ga для определения концентраций N необходимо иметь данные о Т. Структура резонансного мультиплета Si позволяет измерять три независимых отношения интенсив-ностеи. Это дает не только в

M3 - статья

VL - 98

SP - 216

EP - 223

JO - ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ

JF - ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ

SN - 0030-4034

IS - 2

ER -