ЗАРЯДОВОЕ СОСТОЯНИЕ ЦЕНТРОВ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В СТРУКТУРАХ SI-SIO 2 , ПОДВЕРГНУТЫХ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНАМИ КРЕМНИЯ И УГЛЕРОДА

в: ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА, № 3, 2007, стр. 18-22.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья

@article{b928270cc2324e649c57432bad1bc476,

title = "ЗАРЯДОВОЕ СОСТОЯНИЕ ЦЕНТРОВ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В СТРУКТУРАХ SI-SIO 2 , ПОДВЕРГНУТЫХ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНАМИ КРЕМНИЯ И УГЛЕРОДА",

author = "А.П. Барабан and Ю.В Петров",

year = "2007",

language = "русский",

pages = "18--22",

journal = "ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА",

issn = "1561-5405",

publisher = "Московский институт электронной техники",

number = "3",

}

TY - JOUR

T1 - ЗАРЯДОВОЕ СОСТОЯНИЕ ЦЕНТРОВ ЛЮМИНЕСЦЕНЦИИ В СТРУКТУРАХ SI-SIO 2 , ПОДВЕРГНУТЫХ ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНОЙ ИМПЛАНТАЦИИ ИОНАМИ КРЕМНИЯ И УГЛЕРОДА

AU - Барабан, А.П.

AU - Петров, Ю.В

PY - 2007

Y1 - 2007

M3 - статья

SP - 18

EP - 22

JO - ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА

JF - ИЗВЕСТИЯ ВЫСШИХ УЧЕБНЫХ ЗАВЕДЕНИЙ. ЭЛЕКТРОНИКА

SN - 1561-5405

IS - 3

ER -

ID: 5250430