Standard

Исследования глубоких состояний в поверхностно-барьерном детекторе N3-21 на основе широкозонного полупроводника SiC (март 2025 г. - рабочие материалы). / Базлов, Николай Владимирович.

2025.

Результаты исследований: Рабочие материалы › рабочие материалы

Harvard

Базлов, НВ 2025 'Исследования глубоких состояний в поверхностно-барьерном детекторе N3-21 на основе широкозонного полупроводника SiC (март 2025 г. - рабочие материалы)'.

APA

Базлов, Н. В. (2025). Исследования глубоких состояний в поверхностно-барьерном детекторе N3-21 на основе широкозонного полупроводника SiC (март 2025 г. - рабочие материалы).

Vancouver

Базлов НВ. Исследования глубоких состояний в поверхностно-барьерном детекторе N3-21 на основе широкозонного полупроводника SiC (март 2025 г. - рабочие материалы). 2025.

Author

Базлов, Николай Владимирович. / Исследования глубоких состояний в поверхностно-барьерном детекторе N3-21 на основе широкозонного полупроводника SiC (март 2025 г. - рабочие материалы). 2025.

BibTeX

@techreport{0e99a1f540474a9ba7eca072eef7ebae,
title = "Исследования глубоких состояний в поверхностно-барьерном детекторе N3-21 на основе широкозонного полупроводника SiC (март 2025 г. - рабочие материалы)",
author = "Базлов, {Николай Владимирович}",
year = "2025",
language = "русский",
type = "WorkingPaper",

}

RIS

TY - UNPB

T1 - Исследования глубоких состояний в поверхностно-барьерном детекторе N3-21 на основе широкозонного полупроводника SiC (март 2025 г. - рабочие материалы)

AU - Базлов, Николай Владимирович

PY - 2025

Y1 - 2025

M3 - рабочие материалы

BT - Исследования глубоких состояний в поверхностно-барьерном детекторе N3-21 на основе широкозонного полупроводника SiC (март 2025 г. - рабочие материалы)

ER -

ID: 133824880