Исследованы рамановские спектры нитевидных нанокристаллов (нановискеров) GaAs, выращенных на различных подложках и различающихся содержанием сфалеритной и вюрцитной фаз. Особое внимание уделено проявлению структурных особенностей в спектрах рассеяния нановискеров. Установлено, что для нановискеров характерны как случайные включения вюрцитных слоев в структуру сфалерита, так и непрерывный рост в вюрцитной фазе. Интерпретация спектра рассеяния согласуется с представлением о сложении дисперсионных зависимостей сфалерита при переходе к структуре вюрцита, что приводит к переводу краезонных мод в точке L в центрозонные моды структуры вюрцита и, как следствие, к появлению ряда новых фундаментальных мод разной симметрии. По спектрам рамановского рассеяния установлено появление в узких слоях нитевидных нанокристаллов гексагонального политипа 4H из-за случайной укладки гексагональных слоев. Сосуществование сфалеритной и вюрцитной фаз в нитевидных нанокристаллах GaAs полностью коррелирует со спектрами фотолюминесценции