ПОДГОТОВКА ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ДЛЯ СИНТЕЗА НАНОСТРУКТУР НА ЕГО ПОВЕРХНОСТИ Single-crystal silicon surface preparation for nanostructure synthesis on its surface.

Standard

ПОДГОТОВКА ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ДЛЯ СИНТЕЗА НАНОСТРУКТУР НА ЕГО ПОВЕРХНОСТИ Single-crystal silicon surface preparation for nanostructure synthesis on its surface. / Земцова, Елена Георгиевна; Морозов, Павел Евгеньевич; Арбенин, Андрей Юрьевич; Гайшун, Владимир Евгеньевич; Смирнов, Владимир Михайлович.

в: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ, № 4, 2008, стр. 119-124.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

BibTeX

@article{18e3b42467e7483b911d957cd7a4b8ff,

title = "ПОДГОТОВКА ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ДЛЯ СИНТЕЗА НАНОСТРУКТУР НА ЕГО ПОВЕРХНОСТИ Single-crystal silicon surface preparation for nanostructure synthesis on its surface.",

abstract = "Изучен процесс стандартизации поверхности кремния, используемого в синтезе наноструктур, с миниальным размером порядка 1 нм. С помощью атомно-силовой микроскопии найдены условия стандартизации поверхности кремния с уровнем шероховатости порядка 0,5 нм. Библиогр. 2 назв. Ил. 4.The process of standardization of silicon surface utilized in the synthesis of nano structures, with a minimal size of 1 nm order is studied. The conditions of silicon surface standardization with the level of roughness of 0.5 nm the order are found with the aid of atomic- power microscopy",

author = "Земцова, {Елена Георгиевна} and Морозов, {Павел Евгеньевич} and Арбенин, {Андрей Юрьевич} and Гайшун, {Владимир Евгеньевич} and Смирнов, {Владимир Михайлович}",

year = "2008",

language = "русский",

pages = "119--124",

journal = "ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ",

issn = "1024-8579",

publisher = "Издательство Санкт-Петербургского университета",

number = "4",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ПОДГОТОВКА ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ДЛЯ СИНТЕЗА НАНОСТРУКТУР НА ЕГО ПОВЕРХНОСТИ Single-crystal silicon surface preparation for nanostructure synthesis on its surface.

AU - Земцова, Елена Георгиевна

AU - Морозов, Павел Евгеньевич

AU - Арбенин, Андрей Юрьевич

AU - Гайшун, Владимир Евгеньевич

AU - Смирнов, Владимир Михайлович

PY - 2008

Y1 - 2008

N2 - Изучен процесс стандартизации поверхности кремния, используемого в синтезе наноструктур, с миниальным размером порядка 1 нм. С помощью атомно-силовой микроскопии найдены условия стандартизации поверхности кремния с уровнем шероховатости порядка 0,5 нм. Библиогр. 2 назв. Ил. 4.The process of standardization of silicon surface utilized in the synthesis of nano structures, with a minimal size of 1 nm order is studied. The conditions of silicon surface standardization with the level of roughness of 0.5 nm the order are found with the aid of atomic- power microscopy

AB - Изучен процесс стандартизации поверхности кремния, используемого в синтезе наноструктур, с миниальным размером порядка 1 нм. С помощью атомно-силовой микроскопии найдены условия стандартизации поверхности кремния с уровнем шероховатости порядка 0,5 нм. Библиогр. 2 назв. Ил. 4.The process of standardization of silicon surface utilized in the synthesis of nano structures, with a minimal size of 1 nm order is studied. The conditions of silicon surface standardization with the level of roughness of 0.5 nm the order are found with the aid of atomic- power microscopy

M3 - статья

SP - 119

EP - 124

JO - ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ

JF - ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ

SN - 1024-8579

IS - 4

ER -

ID: 5040365