Изучен процесс стандартизации поверхности кремния, используемого в синтезе наноструктур, с миниальным размером порядка 1 нм. С помощью атомно-силовой микроскопии найдены условия стандартизации поверхности кремния с уровнем шероховатости порядка 0,5 нм. Библиогр. 2 назв. Ил. 4.

The process of standardization of silicon surface utilized in the synthesis of nano structures, with a minimal size of 1 nm order is studied. The conditions of silicon surface standardization with the level of roughness of 0.5 nm the order are found with the aid of atomic- power microscopy