Standard

Релаксация электронного спина и резонансное охлаждение ядерных спинов в структурах GaAs:Mn. / Евдокимов, Артем Евгеньевич; Кузнецова, Мария Сергеевна; Михайлов, Андрей Валерьевич; Кавокин, Кирилл Витальевич; Джиоев, Рослан.

в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Том 55, № 9, 09.2021, стр. 738-742.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Евдокимов, АЕ, Кузнецова, МС, Михайлов, АВ, Кавокин, КВ & Джиоев, Р 2021, 'Релаксация электронного спина и резонансное охлаждение ядерных спинов в структурах GaAs:Mn', ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Том. 55, № 9, стр. 738-742. https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51287.14

APA

Евдокимов, А. Е., Кузнецова, М. С., Михайлов, А. В., Кавокин, К. В., & Джиоев, Р. (2021). Релаксация электронного спина и резонансное охлаждение ядерных спинов в структурах GaAs:Mn. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, 55(9), 738-742. https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51287.14

Vancouver

Евдокимов АЕ, Кузнецова МС, Михайлов АВ, Кавокин КВ, Джиоев Р. Релаксация электронного спина и резонансное охлаждение ядерных спинов в структурах GaAs:Mn. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2021 Сент.;55(9):738-742. https://doi.org/10.21883/FTP.2021.09.51287.14

Author

Евдокимов, Артем Евгеньевич ; Кузнецова, Мария Сергеевна ; Михайлов, Андрей Валерьевич ; Кавокин, Кирилл Витальевич ; Джиоев, Рослан. / Релаксация электронного спина и резонансное охлаждение ядерных спинов в структурах GaAs:Mn. в: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2021 ; Том 55, № 9. стр. 738-742.

BibTeX

@article{efc0db780eaa45be8363e9013e66977b,
title = "Релаксация электронного спина и резонансное охлаждение ядерных спинов в структурах GaAs:Mn",
abstract = "Экспериментально изучено поведение времени релаксации спина электрона в объeмных слоях GaAs, легированного Mn. Исследовалось изменение степени циркулярной поляризации фотолюминесценции в поперечном и продольном магнитных полях. Обнаружено увеличение времени релаксации электронного спина от 25 нс при слабой накачке до 400 нс при пороговой мощности накачки. Также продемонстрирован эффект резонансного охлаждения ядерной спиновой системы оптически ориентированными электронными спинами. Ключевые слова: структуры GaAs : Mn, поперечное и продольное магнитные поля, спиновая релаксация электронов.",
author = "Евдокимов, {Артем Евгеньевич} and Кузнецова, {Мария Сергеевна} and Михайлов, {Андрей Валерьевич} and Кавокин, {Кирилл Витальевич} and Рослан Джиоев",
year = "2021",
month = sep,
doi = "10.21883/FTP.2021.09.51287.14",
language = "русский",
volume = "55",
pages = "738--742",
journal = "ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "9",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Релаксация электронного спина и резонансное охлаждение ядерных спинов в структурах GaAs:Mn

AU - Евдокимов, Артем Евгеньевич

AU - Кузнецова, Мария Сергеевна

AU - Михайлов, Андрей Валерьевич

AU - Кавокин, Кирилл Витальевич

AU - Джиоев, Рослан

PY - 2021/9

Y1 - 2021/9

N2 - Экспериментально изучено поведение времени релаксации спина электрона в объeмных слоях GaAs, легированного Mn. Исследовалось изменение степени циркулярной поляризации фотолюминесценции в поперечном и продольном магнитных полях. Обнаружено увеличение времени релаксации электронного спина от 25 нс при слабой накачке до 400 нс при пороговой мощности накачки. Также продемонстрирован эффект резонансного охлаждения ядерной спиновой системы оптически ориентированными электронными спинами. Ключевые слова: структуры GaAs : Mn, поперечное и продольное магнитные поля, спиновая релаксация электронов.

AB - Экспериментально изучено поведение времени релаксации спина электрона в объeмных слоях GaAs, легированного Mn. Исследовалось изменение степени циркулярной поляризации фотолюминесценции в поперечном и продольном магнитных полях. Обнаружено увеличение времени релаксации электронного спина от 25 нс при слабой накачке до 400 нс при пороговой мощности накачки. Также продемонстрирован эффект резонансного охлаждения ядерной спиновой системы оптически ориентированными электронными спинами. Ключевые слова: структуры GaAs : Mn, поперечное и продольное магнитные поля, спиновая релаксация электронов.

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/3ca6f927-a1fa-3a17-bbd6-b3ea332d1e23/

U2 - 10.21883/FTP.2021.09.51287.14

DO - 10.21883/FTP.2021.09.51287.14

M3 - статья

VL - 55

SP - 738

EP - 742

JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

SN - 0015-3222

IS - 9

ER -

ID: 86437030