Экспериментально изучено поведение времени релаксации спина электрона в объeмных слоях GaAs, легированного Mn. Исследовалось изменение степени циркулярной поляризации фотолюминесценции в поперечном и продольном магнитных полях. Обнаружено увеличение времени релаксации электронного спина от 25 нс при слабой накачке до 400 нс при пороговой мощности накачки. Также продемонстрирован эффект резонансного охлаждения ядерной спиновой системы оптически ориентированными электронными спинами. Ключевые слова: структуры GaAs : Mn, поперечное и продольное магнитные поля, спиновая релаксация электронов.