TY - JOUR

T1 - Электронные состояния зоны проводимости ультратонких пленок тиофен-фенилен со-олигомера и замещенного бифенила на поверхности послойно выращенного ZnO

AU - Комолов, Алексей Сергеевич

AU - Жижин, Евгений Владимирович

AU - Лазнева, Элеонора Федоровна

AU - Герасимова, Наталия Борисовна

AU - Соболев, Виталий Сергеевич

AU - Пудиков, Дмитрий Александрович

AU - Пшеничнюк, С.А.

AU - Асфандиаров, Н.Л.

AU - Борщев, О.В.

AU - Пономаренко, С. А.

AU - Handke, B.

PY - 2022/6/28

Y1 - 2022/6/28

N2 - Приведены результаты исследования электронных состояний зоны проводимости и пограничного потенци-ального барьера при формировании ультратонких пленок тиофен-фениленового со-олигомера СH3-фенилен-тиофен-тиофен-фенилен-СH3 (СH3-PTTP-CH3) на поверхности ZnO и пленок тетракарбоксильного диан-гидида бифенила (Biphenyltetracarboxylic dianhydride, BPDA) на поверхности ZnO. Слой ZnO толщиной100 nm приготовлен методом молекулярного наслаивания (atomic layer deposition, ALD). Органическиепленки СH3-PTTP-CH3 и пленки BPDA толщиной до 8 nm формировали методом термического вакуумногоосаждения. В процессе осаждения пленок проводили исследования электронных характеристик поверхностиметодом спектроскопии полного тока (TCS) в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше EF. В этомэнергетическом диапазоне установлена структура максимумов незаполненных электронных состоянийпленок СH3-PTTP-CH3 и BPDA. В результате осаждения пленки СH3-PTTP-CH3 обнаружено снижениеработы выхода до 4.0 eV, по сравнению со значением работы выхода 4.2 eV, измеренной для ALD ZnO-подложки. Это соответствует переносу отрицательного заряда из пленки СH3-PTTP-CH3 в подложку. Переносзаряда на границе пленки BPDA и ALD ZnO-подложки происходит в обратном направлении, так какпри формировании этого пограничного барьера зарегистрировано увеличение работы выхода до 4.7 eV.Исследованные пленки СH3-PTTP-СH3 и BPDA и послойно выращенный ZnO представляют собой сплошноепокрытие на достаточно больших участках поверхности порядка 10 μm × 10 μm. Шероховатость ZnO-поверхности не превышает 4 nm, а шероховатость поверхностей пленок СH3-PTTP-СH3 и BPDA составляет10−15 nm.

AB - Приведены результаты исследования электронных состояний зоны проводимости и пограничного потенци-ального барьера при формировании ультратонких пленок тиофен-фениленового со-олигомера СH3-фенилен-тиофен-тиофен-фенилен-СH3 (СH3-PTTP-CH3) на поверхности ZnO и пленок тетракарбоксильного диан-гидида бифенила (Biphenyltetracarboxylic dianhydride, BPDA) на поверхности ZnO. Слой ZnO толщиной100 nm приготовлен методом молекулярного наслаивания (atomic layer deposition, ALD). Органическиепленки СH3-PTTP-CH3 и пленки BPDA толщиной до 8 nm формировали методом термического вакуумногоосаждения. В процессе осаждения пленок проводили исследования электронных характеристик поверхностиметодом спектроскопии полного тока (TCS) в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше EF. В этомэнергетическом диапазоне установлена структура максимумов незаполненных электронных состоянийпленок СH3-PTTP-CH3 и BPDA. В результате осаждения пленки СH3-PTTP-CH3 обнаружено снижениеработы выхода до 4.0 eV, по сравнению со значением работы выхода 4.2 eV, измеренной для ALD ZnO-подложки. Это соответствует переносу отрицательного заряда из пленки СH3-PTTP-CH3 в подложку. Переносзаряда на границе пленки BPDA и ALD ZnO-подложки происходит в обратном направлении, так какпри формировании этого пограничного барьера зарегистрировано увеличение работы выхода до 4.7 eV.Исследованные пленки СH3-PTTP-СH3 и BPDA и послойно выращенный ZnO представляют собой сплошноепокрытие на достаточно больших участках поверхности порядка 10 μm × 10 μm. Шероховатость ZnO-поверхности не превышает 4 nm, а шероховатость поверхностей пленок СH3-PTTP-СH3 и BPDA составляет10−15 nm.

KW - тиофен-фениленовые со-олигомеры, тетракарбоксильный диангидид бифенила, ультра- тонкие пленки, ZnO, метод молекулярного наслаивания (atomic layer deposition), электронные свойства, низкоэнергетическая электронная спектроскопия, пограничный потенциальный б

UR - https://www.mendeley.com/catalogue/3ec5d249-b839-3cf3-84ed-bfc59ce328fc/

U2 - 10.21883/FTT.2022.12.53663.415

DO - 10.21883/FTT.2022.12.53663.415

M3 - статья

VL - 64

SP - 2061

EP - 2067

JO - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

JF - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

SN - 0367-3294

IS - 12

ER -