Приведены результаты исследования электронных состояний зоны проводимости и пограничного потенци-
ального барьера при формировании ультратонких пленок тиофен-фениленового со-олигомера СH3-фенилен-
тиофен-тиофен-фенилен-СH3 (СH3-PTTP-CH3) на поверхности ZnO и пленок тетракарбоксильного диан-
гидида бифенила (Biphenyltetracarboxylic dianhydride, BPDA) на поверхности ZnO. Слой ZnO толщиной
100 nm приготовлен методом молекулярного наслаивания (atomic layer deposition, ALD). Органические
пленки СH3-PTTP-CH3 и пленки BPDA толщиной до 8 nm формировали методом термического вакуумного
осаждения. В процессе осаждения пленок проводили исследования электронных характеристик поверхности
методом спектроскопии полного тока (TCS) в энергетическом диапазоне от 5 до 20 eV выше EF. В этом
энергетическом диапазоне установлена структура максимумов незаполненных электронных состояний
пленок СH3-PTTP-CH3 и BPDA. В результате осаждения пленки СH3-PTTP-CH3 обнаружено снижение
работы выхода до 4.0 eV, по сравнению со значением работы выхода 4.2 eV, измеренной для ALD ZnO-
подложки. Это соответствует переносу отрицательного заряда из пленки СH3-PTTP-CH3 в подложку. Перенос
заряда на границе пленки BPDA и ALD ZnO-подложки происходит в обратном направлении, так как
при формировании этого пограничного барьера зарегистрировано увеличение работы выхода до 4.7 eV.
Исследованные пленки СH3-PTTP-СH3 и BPDA и послойно выращенный ZnO представляют собой сплошное
покрытие на достаточно больших участках поверхности порядка 10 μm × 10 μm. Шероховатость ZnO-
поверхности не превышает 4 nm, а шероховатость поверхностей пленок СH3-PTTP-СH3 и BPDA составляет
10−15 nm.
