В работе представлен ранее развитый нами подход, адаптированный для изучения протяженности межслоевых областей в
многослойных рентгеновских зеркалах с использованием рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии высоких энергий. В этом подходе при установлении толщин мы используем понятие эффективной длины затухания фотоэлектронов L (EAL). Данный подход применен для изучения формирования интерфейсов в многослойном рентгеновском зеркале Si/[Mo/Si]50. Установлено образование силицида молибдена разной толщины в зависимости от порядка следования слоев Mo и Si. Показано, что увеличение числа периодов зеркала приводит к уменьшению протяженности интерфейса. Кроме того, в работе рассмотрено влияние барьерных слоев Be и B4C на состав и протяженность межслоевой области.