Standard

Оптические свойства объемных монокристаллов нитрида галлия, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. / Серов, Алексей Юрьевич; Агекян, Вадим Фадеевич; Философов, Николай Глебович; Борисов, Евгений Вадимович.

в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, Том 59, № 12, 01.12.2017, стр. 2392-2395.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Серов, АЮ, Агекян, ВФ, Философов, НГ & Борисов, ЕВ 2017, 'Оптические свойства объемных монокристаллов нитрида галлия, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии', ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, Том. 59, № 12, стр. 2392-2395. https://doi.org/10.21883/FTT.2017.12.45237.120

APA

Серов, А. Ю., Агекян, В. Ф., Философов, Н. Г., & Борисов, Е. В. (2017). Оптические свойства объемных монокристаллов нитрида галлия, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, 59(12), 2392-2395. https://doi.org/10.21883/FTT.2017.12.45237.120

Vancouver

Серов АЮ, Агекян ВФ, Философов НГ, Борисов ЕВ. Оптические свойства объемных монокристаллов нитрида галлия, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 2017 Дек. 1;59(12):2392-2395. https://doi.org/10.21883/FTT.2017.12.45237.120

Author

Серов, Алексей Юрьевич ; Агекян, Вадим Фадеевич ; Философов, Николай Глебович ; Борисов, Евгений Вадимович. / Оптические свойства объемных монокристаллов нитрида галлия, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 2017 ; Том 59, № 12. стр. 2392-2395.

BibTeX

@article{8f5976760009456ca29145c412c0843f,
title = "Оптические свойства объемных монокристаллов нитрида галлия, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии",
abstract = "Кристалл нитрида галлия толщиной 5mm был выращен методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на сапфировой подложке, от которой кристалл отделился в процессе остывания. На ранней стадии был реализован трехмерный режим роста с последующей сменой на двумерный режим. В нескольких характерных областях образца исследованы спектры экситонного отражения, экситонной люминесценциии рамановского рассеяния. Анализ этих спектров и сравнение с ранее полученными данными для тонких эпитаксиальных слоев GaN с широким диапазоном легирования кремнием позволили сделать выводы о качестве кристаллической решетки в этих характерных областях образца.Работа выполнена в рамках инициативной темы СПбГУ № 11.52.454.2016, для исследования спектров рамановского рассеяния использовалось оборудование Ресурсного центра СПбГУ” Оптические и лазерные методы исследования вещества“.",
author = "Серов, {Алексей Юрьевич} and Агекян, {Вадим Фадеевич} and Философов, {Николай Глебович} and Борисов, {Евгений Вадимович}",
year = "2017",
month = dec,
day = "1",
doi = "10.21883/FTT.2017.12.45237.120",
language = "русский",
volume = "59",
pages = "2392--2395",
journal = "ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА",
issn = "0367-3294",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "12",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Оптические свойства объемных монокристаллов нитрида галлия, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии

AU - Серов, Алексей Юрьевич

AU - Агекян, Вадим Фадеевич

AU - Философов, Николай Глебович

AU - Борисов, Евгений Вадимович

PY - 2017/12/1

Y1 - 2017/12/1

N2 - Кристалл нитрида галлия толщиной 5mm был выращен методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на сапфировой подложке, от которой кристалл отделился в процессе остывания. На ранней стадии был реализован трехмерный режим роста с последующей сменой на двумерный режим. В нескольких характерных областях образца исследованы спектры экситонного отражения, экситонной люминесценциии рамановского рассеяния. Анализ этих спектров и сравнение с ранее полученными данными для тонких эпитаксиальных слоев GaN с широким диапазоном легирования кремнием позволили сделать выводы о качестве кристаллической решетки в этих характерных областях образца.Работа выполнена в рамках инициативной темы СПбГУ № 11.52.454.2016, для исследования спектров рамановского рассеяния использовалось оборудование Ресурсного центра СПбГУ” Оптические и лазерные методы исследования вещества“.

AB - Кристалл нитрида галлия толщиной 5mm был выращен методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии на сапфировой подложке, от которой кристалл отделился в процессе остывания. На ранней стадии был реализован трехмерный режим роста с последующей сменой на двумерный режим. В нескольких характерных областях образца исследованы спектры экситонного отражения, экситонной люминесценциии рамановского рассеяния. Анализ этих спектров и сравнение с ранее полученными данными для тонких эпитаксиальных слоев GaN с широким диапазоном легирования кремнием позволили сделать выводы о качестве кристаллической решетки в этих характерных областях образца.Работа выполнена в рамках инициативной темы СПбГУ № 11.52.454.2016, для исследования спектров рамановского рассеяния использовалось оборудование Ресурсного центра СПбГУ” Оптические и лазерные методы исследования вещества“.

U2 - 10.21883/FTT.2017.12.45237.120

DO - 10.21883/FTT.2017.12.45237.120

M3 - статья

VL - 59

SP - 2392

EP - 2395

JO - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

JF - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

SN - 0367-3294

IS - 12

ER -

ID: 9703028