Standard

ЭКРАНИРОВАНИЕ В ДВУМЕРНОМ ЭЛЕКТРОННОМ ГАЗЕ: ПЛОТНОСТЬ ИНДУЦИРОВАННОГО ЗАРЯДА, ПОТЕНЦИАЛ И ЕМКОСТЬ. / Ковалевский, Д.В.; Кучма, А.Е.

в: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ, № 3, 2008, стр. 20-26.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Harvard

Ковалевский, ДВ & Кучма, АЕ 2008, 'ЭКРАНИРОВАНИЕ В ДВУМЕРНОМ ЭЛЕКТРОННОМ ГАЗЕ: ПЛОТНОСТЬ ИНДУЦИРОВАННОГО ЗАРЯДА, ПОТЕНЦИАЛ И ЕМКОСТЬ', ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ, № 3, стр. 20-26. <http://elibrary.ru/item.asp?id=12882947>

APA

Ковалевский, Д. В., & Кучма, А. Е. (2008). ЭКРАНИРОВАНИЕ В ДВУМЕРНОМ ЭЛЕКТРОННОМ ГАЗЕ: ПЛОТНОСТЬ ИНДУЦИРОВАННОГО ЗАРЯДА, ПОТЕНЦИАЛ И ЕМКОСТЬ. ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ, (3), 20-26. http://elibrary.ru/item.asp?id=12882947

Vancouver

Ковалевский ДВ, Кучма АЕ. ЭКРАНИРОВАНИЕ В ДВУМЕРНОМ ЭЛЕКТРОННОМ ГАЗЕ: ПЛОТНОСТЬ ИНДУЦИРОВАННОГО ЗАРЯДА, ПОТЕНЦИАЛ И ЕМКОСТЬ. ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ. 2008;(3):20-26.

Author

Ковалевский, Д.В. ; Кучма, А.Е. / ЭКРАНИРОВАНИЕ В ДВУМЕРНОМ ЭЛЕКТРОННОМ ГАЗЕ: ПЛОТНОСТЬ ИНДУЦИРОВАННОГО ЗАРЯДА, ПОТЕНЦИАЛ И ЕМКОСТЬ. в: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ. 2008 ; № 3. стр. 20-26.

BibTeX

@article{374208577cf34c6f86b325cf61351f69,
title = "ЭКРАНИРОВАНИЕ В ДВУМЕРНОМ ЭЛЕКТРОННОМ ГАЗЕ: ПЛОТНОСТЬ ИНДУЦИРОВАННОГО ЗАРЯДА, ПОТЕНЦИАЛ И ЕМКОСТЬ",
abstract = "В приближении Томаса-Ферми при нулевой температуре решаетсязадача об экранировании в двумерном электронном газе, занимающем две полуплоскости, разделенные зазором. Получены аналитические выражения для профилей потенциала и избыточной концентрации электронов, а также для величины емкости системы. Within Thomas-Fermi approximation in zero-temperature limit a problem on screening in two-dimensional electron gas occupying two half planes separated by a gap is solved. Analytical expressions for the potential distribution, the extra electron density and the capacity of the system are obtained.",
author = "Д.В. Ковалевский and А.Е. Кучма",
year = "2008",
language = "русский",
pages = "20--26",
journal = "ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ",
issn = "1024-8579",
publisher = "Издательство Санкт-Петербургского университета",
number = "3",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ЭКРАНИРОВАНИЕ В ДВУМЕРНОМ ЭЛЕКТРОННОМ ГАЗЕ: ПЛОТНОСТЬ ИНДУЦИРОВАННОГО ЗАРЯДА, ПОТЕНЦИАЛ И ЕМКОСТЬ

AU - Ковалевский, Д.В.

AU - Кучма, А.Е.

PY - 2008

Y1 - 2008

N2 - В приближении Томаса-Ферми при нулевой температуре решаетсязадача об экранировании в двумерном электронном газе, занимающем две полуплоскости, разделенные зазором. Получены аналитические выражения для профилей потенциала и избыточной концентрации электронов, а также для величины емкости системы. Within Thomas-Fermi approximation in zero-temperature limit a problem on screening in two-dimensional electron gas occupying two half planes separated by a gap is solved. Analytical expressions for the potential distribution, the extra electron density and the capacity of the system are obtained.

AB - В приближении Томаса-Ферми при нулевой температуре решаетсязадача об экранировании в двумерном электронном газе, занимающем две полуплоскости, разделенные зазором. Получены аналитические выражения для профилей потенциала и избыточной концентрации электронов, а также для величины емкости системы. Within Thomas-Fermi approximation in zero-temperature limit a problem on screening in two-dimensional electron gas occupying two half planes separated by a gap is solved. Analytical expressions for the potential distribution, the extra electron density and the capacity of the system are obtained.

M3 - статья

SP - 20

EP - 26

JO - ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ

JF - ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ

SN - 1024-8579

IS - 3

ER -

ID: 5147061