Свойства полупроводникового фотоэлемента можно исследовать, используя не монохроматическое излучение, а широкий спектр теплового излучения лампы накаливания. Регулируя ток накала, можно снять зависимость фототока от изменения спектра лампы при нагреве и после несложной математической обработки выявить пороговый характер фотоэффекта и оценить ширину запрещённой зоны. Работа выполняется на самом простом оборудовании и доступна школам с любым уровнем материального обеспечения
Переведенное названиеSTUDY OF THE BAND STRUCTURE OF SEMICONDUCTORS IN CONTINUOUS HEAT RADIATION SPECTRUM
Язык оригиналарусский
Страницы (с-по)48-53
ЖурналФИЗИКА В ШКОЛЕ
Номер выпуска1
СостояниеОпубликовано - янв 2020

    Области исследований

  • Фотоэлемент, запрещённая зона, тепловое излучение, сплошной спектр, лабораторная работа

    Предметные области Scopus

  • Физика и астрономия (все)

ID: 52386562