ТЕХНИКА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ДЛЯ АНАЛИЗА ЗАСЕЛЕННОСТЕЙ АТОМНЫХ ОРБИТАЛЕЙ В КРИСТАЛЛАХ

Standard

ТЕХНИКА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ДЛЯ АНАЛИЗА ЗАСЕЛЕННОСТЕЙ АТОМНЫХ ОРБИТАЛЕЙ В КРИСТАЛЛАХ. / Тупицын, И.И.; Эварестов, Р.А.; Смирнов, В.П.

в: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, № 10, 2005, стр. 1768-1775.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

BibTeX

@article{b1bec2ac40e8480fb480362a73b5d4c2,

title = "ТЕХНИКА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ДЛЯ АНАЛИЗА ЗАСЕЛЕННОСТЕЙ АТОМНЫХ ОРБИТАЛЕЙ В КРИСТАЛЛАХ",

abstract = "Проведен сравнительный анализ одноэлектронной матрицы плотности кристалла в базисе локализованных орбиталей, полученной в двух вариантах техники проектирования: А - проектирование кристаллических орбиталей на пространство атомных орбиталей и В - проектирование атомных функций на пространство кристаллических орбиталей. Предложено упрощение метода В, позволяющее избежать при его реализации трудоемких расчетов с большим числом вакантных кристаллических орбиталей. В рамках обоих методов выполнены расчеты локальных характеристик (атомные заряды и ковалентности, порядки связей) электронной структуры ряда кристаллов (Si, SiC, GaAs, MgO, кубический BN и ТiO2 в структуре рутила) методом функционала плотности, в обобщенном градиентном приближении, в базисе плоских волн и с использованием сохраняющих норму псевдопотенциалов. Установлено, что оба варианта техники проектирования приводят к близким результатам для локальных характеристик электронной структуры. Для кристалла ТiO2 в структ",

author = "И.И. Тупицын and Р.А. Эварестов and В.П. Смирнов",

year = "2005",

language = "русский",

pages = "1768--1775",

journal = "ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА",

issn = "0367-3294",

publisher = "Издательство {"}Наука{"}",

number = "10",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ТЕХНИКА ПРОЕКТИРОВАНИЯ ДЛЯ АНАЛИЗА ЗАСЕЛЕННОСТЕЙ АТОМНЫХ ОРБИТАЛЕЙ В КРИСТАЛЛАХ

AU - Тупицын, И.И.

AU - Эварестов, Р.А.

AU - Смирнов, В.П.

PY - 2005

Y1 - 2005

N2 - Проведен сравнительный анализ одноэлектронной матрицы плотности кристалла в базисе локализованных орбиталей, полученной в двух вариантах техники проектирования: А - проектирование кристаллических орбиталей на пространство атомных орбиталей и В - проектирование атомных функций на пространство кристаллических орбиталей. Предложено упрощение метода В, позволяющее избежать при его реализации трудоемких расчетов с большим числом вакантных кристаллических орбиталей. В рамках обоих методов выполнены расчеты локальных характеристик (атомные заряды и ковалентности, порядки связей) электронной структуры ряда кристаллов (Si, SiC, GaAs, MgO, кубический BN и ТiO2 в структуре рутила) методом функционала плотности, в обобщенном градиентном приближении, в базисе плоских волн и с использованием сохраняющих норму псевдопотенциалов. Установлено, что оба варианта техники проектирования приводят к близким результатам для локальных характеристик электронной структуры. Для кристалла ТiO2 в структ

AB - Проведен сравнительный анализ одноэлектронной матрицы плотности кристалла в базисе локализованных орбиталей, полученной в двух вариантах техники проектирования: А - проектирование кристаллических орбиталей на пространство атомных орбиталей и В - проектирование атомных функций на пространство кристаллических орбиталей. Предложено упрощение метода В, позволяющее избежать при его реализации трудоемких расчетов с большим числом вакантных кристаллических орбиталей. В рамках обоих методов выполнены расчеты локальных характеристик (атомные заряды и ковалентности, порядки связей) электронной структуры ряда кристаллов (Si, SiC, GaAs, MgO, кубический BN и ТiO2 в структуре рутила) методом функционала плотности, в обобщенном градиентном приближении, в базисе плоских волн и с использованием сохраняющих норму псевдопотенциалов. Установлено, что оба варианта техники проектирования приводят к близким результатам для локальных характеристик электронной структуры. Для кристалла ТiO2 в структ

M3 - статья

SP - 1768

EP - 1775

JO - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

JF - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

SN - 0367-3294

IS - 10

ER -

ID: 5027096