Проведен сравнительный анализ одноэлектронной матрицы плотности кристалла в базисе локализованных орбиталей, полученной в двух вариантах техники проектирования: А - проектирование кристаллических орбиталей на пространство атомных орбиталей и В - проектирование атомных функций на пространство кристаллических орбиталей. Предложено упрощение метода В, позволяющее избежать при его реализации трудоемких расчетов с большим числом вакантных кристаллических орбиталей. В рамках обоих методов выполнены расчеты локальных характеристик (атомные заряды и ковалентности, порядки связей) электронной структуры ряда кристаллов (Si, SiC, GaAs, MgO, кубический BN и ТiO2 в структуре рутила) методом функционала плотности, в обобщенном градиентном приближении, в базисе плоских волн и с использованием сохраняющих норму псевдопотенциалов. Установлено, что оба варианта техники проектирования приводят к близким результатам для локальных характеристик электронной структуры. Для кристалла ТiO2 в структ
Язык оригиналарусский
Страницы (с-по)1768-1775
ЖурналФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА
Номер выпуска10
СостояниеОпубликовано - 2005
Опубликовано для внешнего пользованияДа

ID: 5027096