Standard

Особенности автоэлектронной эмиссии из одномерной квантовой ямы различной глубины. / Томилов, А.А.; Яфясов, А.М.

в: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ, Том 2, № 2, 2015, стр. 148-155.

Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Harvard

Томилов, АА & Яфясов, АМ 2015, 'Особенности автоэлектронной эмиссии из одномерной квантовой ямы различной глубины', ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ, Том. 2, № 2, стр. 148-155.

APA

Томилов, А. А., & Яфясов, А. М. (2015). Особенности автоэлектронной эмиссии из одномерной квантовой ямы различной глубины. ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ, 2(2), 148-155.

Vancouver

Томилов АА, Яфясов АМ. Особенности автоэлектронной эмиссии из одномерной квантовой ямы различной глубины. ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ. 2015;2(2):148-155.

Author

Томилов, А.А. ; Яфясов, А.М. / Особенности автоэлектронной эмиссии из одномерной квантовой ямы различной глубины. в: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ. 2015 ; Том 2, № 2. стр. 148-155.

BibTeX

@article{16d38bb2bfe8435d82010a7a316d884a,
title = "Особенности автоэлектронной эмиссии из одномерной квантовой ямы различной глубины",
abstract = "Приведены результаты расчёта для автоэлектронной эмиссии из полупроводниковых материалов в случае размерного квантования приповерхностной области в сильных полях. Получены аналитические выражения в предположении описания приповерхностного изги- ба зон прямоугольным потенциалом с асимметричными граничными значениями. Приведе- ны зависимости плотности тока от ширины квантовой ямы, температуры, а также ВАХ. Приводится сопоставление с классической моделью Фаулера—Нордгейма. Модельные рас- чёты произведены для параметров кремния. Данные численных экспериментов находятся в согласии с экспериментальными данными. Модель позволяет объяснить низкое значение порога активации процесса автоэмиссии из полупроводниковых эмиттеров, а также низкие значения плотностей токов, полученные во время экспериментов с нанотрубками, графеном и другими полупроводниковыми материалами. Библиогр. 14 назв. Ил. 6. Табл. 1.",
keywords = "автоэлектронная эмиссия, размерное квантование, полупроводники.",
author = "А.А. Томилов and А.М. Яфясов",
year = "2015",
language = "русский",
volume = "2",
pages = "148--155",
journal = "ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ",
issn = "1024-8579",
publisher = "Издательство Санкт-Петербургского университета",
number = "2",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Особенности автоэлектронной эмиссии из одномерной квантовой ямы различной глубины

AU - Томилов, А.А.

AU - Яфясов, А.М.

PY - 2015

Y1 - 2015

N2 - Приведены результаты расчёта для автоэлектронной эмиссии из полупроводниковых материалов в случае размерного квантования приповерхностной области в сильных полях. Получены аналитические выражения в предположении описания приповерхностного изги- ба зон прямоугольным потенциалом с асимметричными граничными значениями. Приведе- ны зависимости плотности тока от ширины квантовой ямы, температуры, а также ВАХ. Приводится сопоставление с классической моделью Фаулера—Нордгейма. Модельные рас- чёты произведены для параметров кремния. Данные численных экспериментов находятся в согласии с экспериментальными данными. Модель позволяет объяснить низкое значение порога активации процесса автоэмиссии из полупроводниковых эмиттеров, а также низкие значения плотностей токов, полученные во время экспериментов с нанотрубками, графеном и другими полупроводниковыми материалами. Библиогр. 14 назв. Ил. 6. Табл. 1.

AB - Приведены результаты расчёта для автоэлектронной эмиссии из полупроводниковых материалов в случае размерного квантования приповерхностной области в сильных полях. Получены аналитические выражения в предположении описания приповерхностного изги- ба зон прямоугольным потенциалом с асимметричными граничными значениями. Приведе- ны зависимости плотности тока от ширины квантовой ямы, температуры, а также ВАХ. Приводится сопоставление с классической моделью Фаулера—Нордгейма. Модельные рас- чёты произведены для параметров кремния. Данные численных экспериментов находятся в согласии с экспериментальными данными. Модель позволяет объяснить низкое значение порога активации процесса автоэмиссии из полупроводниковых эмиттеров, а также низкие значения плотностей токов, полученные во время экспериментов с нанотрубками, графеном и другими полупроводниковыми материалами. Библиогр. 14 назв. Ил. 6. Табл. 1.

KW - автоэлектронная эмиссия

KW - размерное квантование

KW - полупроводники.

M3 - статья

VL - 2

SP - 148

EP - 155

JO - ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ

JF - ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ

SN - 1024-8579

IS - 2

ER -

ID: 5770345