Приведены результаты расчёта для автоэлектронной эмиссии из полупроводниковых материалов в случае размерного квантования приповерхностной области в сильных полях. Получены аналитические выражения в предположении описания приповерхностного изги- ба зон прямоугольным потенциалом с асимметричными граничными значениями. Приведе- ны зависимости плотности тока от ширины квантовой ямы, температуры, а также ВАХ. Приводится сопоставление с классической моделью Фаулера—Нордгейма. Модельные рас- чёты произведены для параметров кремния. Данные численных экспериментов находятся в согласии с экспериментальными данными. Модель позволяет объяснить низкое значение порога активации процесса автоэмиссии из полупроводниковых эмиттеров, а также низкие значения плотностей токов, полученные во время экспериментов с нанотрубками, графеном и другими полупроводниковыми материалами. Библиогр. 14 назв. Ил. 6. Табл. 1.