Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
О ВЛИЯНИИ ДЛИТЕЛЬНОСТИ УДАРНОГО НАГРУЖЕНИЯ НА ПРЕДЕЛ ТЕКУЧЕСТИ. / Морозов, Н. Ф.; Шихобалов, Л. С.
в: ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК, Том 422, № 4, 2008, стр. 479-483.Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование
}
TY - JOUR
T1 - О ВЛИЯНИИ ДЛИТЕЛЬНОСТИ УДАРНОГО НАГРУЖЕНИЯ НА ПРЕДЕЛ ТЕКУЧЕСТИ
AU - Морозов, Н. Ф.
AU - Шихобалов, Л. С.
PY - 2008
Y1 - 2008
N2 - Тепловое движение атомов в кристалле интерпретировано как некое быстроосциллирующее поле напряжений, названное флуктуационным. С учетом положений физики твердого тела разработана теория такого поля. Эта теория применена к описанию движения дислокаций в случае, когда внешнее напряжение в кристалле меньше порогового уровня, необходимого для движения дислокаций. В этом случае движение дислокаций обеспечивается совместным действием внешнего и флуктуационного напряжений. Показано, что при ударном нагружении кристалла с длительностью, меньшей 10^(–5) – 10^(–6) с, и с напряжением, имеющим порядок динамического предела текучести кристалла, флуктуации напряжения, необходимые для движения дислокаций, не успевают произойти (с вероятностью, близкой к единице). В результате, в данном случае кристалл остается недеформированным пластически, несмотря на то, что при более длительном нагружении с тем же уровнем напряжения он будет испытывать пластическую деформацию. Компенсировать этот эффект, то есть вызвать пластическое дефо
AB - Тепловое движение атомов в кристалле интерпретировано как некое быстроосциллирующее поле напряжений, названное флуктуационным. С учетом положений физики твердого тела разработана теория такого поля. Эта теория применена к описанию движения дислокаций в случае, когда внешнее напряжение в кристалле меньше порогового уровня, необходимого для движения дислокаций. В этом случае движение дислокаций обеспечивается совместным действием внешнего и флуктуационного напряжений. Показано, что при ударном нагружении кристалла с длительностью, меньшей 10^(–5) – 10^(–6) с, и с напряжением, имеющим порядок динамического предела текучести кристалла, флуктуации напряжения, необходимые для движения дислокаций, не успевают произойти (с вероятностью, близкой к единице). В результате, в данном случае кристалл остается недеформированным пластически, несмотря на то, что при более длительном нагружении с тем же уровнем напряжения он будет испытывать пластическую деформацию. Компенсировать этот эффект, то есть вызвать пластическое дефо
M3 - статья
VL - 422
SP - 479
EP - 483
JO - ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК
JF - ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК
SN - 0869-5652
IS - 4
ER -
ID: 5012030