О ВЛИЯНИИ ДЛИТЕЛЬНОСТИ УДАРНОГО НАГРУЖЕНИЯ НА ПРЕДЕЛ ТЕКУЧЕСТИ

Standard

О ВЛИЯНИИ ДЛИТЕЛЬНОСТИ УДАРНОГО НАГРУЖЕНИЯ НА ПРЕДЕЛ ТЕКУЧЕСТИ. / Морозов, Н. Ф.; Шихобалов, Л. С.

In: ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК, Vol. 422, No. 4, 2008, p. 479-483.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

BibTeX

@article{6cf0a027909b424cb0271154cf6c7cf7,

title = "О ВЛИЯНИИ ДЛИТЕЛЬНОСТИ УДАРНОГО НАГРУЖЕНИЯ НА ПРЕДЕЛ ТЕКУЧЕСТИ",

abstract = "Тепловое движение атомов в кристалле интерпретировано как некое быстроосциллирующее поле напряжений, названное флуктуационным. С учетом положений физики твердого тела разработана теория такого поля. Эта теория применена к описанию движения дислокаций в случае, когда внешнее напряжение в кристалле меньше порогового уровня, необходимого для движения дислокаций. В этом случае движение дислокаций обеспечивается совместным действием внешнего и флуктуационного напряжений. Показано, что при ударном нагружении кристалла с длительностью, меньшей 10^(–5) – 10^(–6) с, и с напряжением, имеющим порядок динамического предела текучести кристалла, флуктуации напряжения, необходимые для движения дислокаций, не успевают произойти (с вероятностью, близкой к единице). В результате, в данном случае кристалл остается недеформированным пластически, несмотря на то, что при более длительном нагружении с тем же уровнем напряжения он будет испытывать пластическую деформацию. Компенсировать этот эффект, то есть вызвать пластическое дефо",

author = "Морозов, {Н. Ф.} and Шихобалов, {Л. С.}",

year = "2008",

language = "русский",

volume = "422",

pages = "479--483",

journal = "ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК",

issn = "0869-5652",

publisher = "Издательство {"}Наука{"}",

number = "4",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - О ВЛИЯНИИ ДЛИТЕЛЬНОСТИ УДАРНОГО НАГРУЖЕНИЯ НА ПРЕДЕЛ ТЕКУЧЕСТИ

AU - Морозов, Н. Ф.

AU - Шихобалов, Л. С.

PY - 2008

Y1 - 2008

N2 - Тепловое движение атомов в кристалле интерпретировано как некое быстроосциллирующее поле напряжений, названное флуктуационным. С учетом положений физики твердого тела разработана теория такого поля. Эта теория применена к описанию движения дислокаций в случае, когда внешнее напряжение в кристалле меньше порогового уровня, необходимого для движения дислокаций. В этом случае движение дислокаций обеспечивается совместным действием внешнего и флуктуационного напряжений. Показано, что при ударном нагружении кристалла с длительностью, меньшей 10^(–5) – 10^(–6) с, и с напряжением, имеющим порядок динамического предела текучести кристалла, флуктуации напряжения, необходимые для движения дислокаций, не успевают произойти (с вероятностью, близкой к единице). В результате, в данном случае кристалл остается недеформированным пластически, несмотря на то, что при более длительном нагружении с тем же уровнем напряжения он будет испытывать пластическую деформацию. Компенсировать этот эффект, то есть вызвать пластическое дефо

AB - Тепловое движение атомов в кристалле интерпретировано как некое быстроосциллирующее поле напряжений, названное флуктуационным. С учетом положений физики твердого тела разработана теория такого поля. Эта теория применена к описанию движения дислокаций в случае, когда внешнее напряжение в кристалле меньше порогового уровня, необходимого для движения дислокаций. В этом случае движение дислокаций обеспечивается совместным действием внешнего и флуктуационного напряжений. Показано, что при ударном нагружении кристалла с длительностью, меньшей 10^(–5) – 10^(–6) с, и с напряжением, имеющим порядок динамического предела текучести кристалла, флуктуации напряжения, необходимые для движения дислокаций, не успевают произойти (с вероятностью, близкой к единице). В результате, в данном случае кристалл остается недеформированным пластически, несмотря на то, что при более длительном нагружении с тем же уровнем напряжения он будет испытывать пластическую деформацию. Компенсировать этот эффект, то есть вызвать пластическое дефо

M3 - статья

VL - 422

SP - 479

EP - 483

JO - ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК

JF - ДОКЛАДЫ АКАДЕМИИ НАУК

SN - 0869-5652

IS - 4

ER -

ID: 5012030