Результаты исследований: Патентование и регистрация прав на ИС › патент
Устройство для получения силицена. / Жижин, Евгений Владимирович (изобретатель); Пудиков, Дмитрий Александрович (изобретатель); Комолов, Алексей Сергеевич (изобретатель).
Федеральная служба по интеллектуальной собственности. Номер патента: RU218247U1. мая 17, 2023.Результаты исследований: Патентование и регистрация прав на ИС › патент
}
TY - PAT
T1 - Устройство для получения силицена
AU - Жижин, Евгений Владимирович
AU - Пудиков, Дмитрий Александрович
AU - Комолов, Алексей Сергеевич
PY - 2023/5/17
Y1 - 2023/5/17
N2 - Полезная модель относится к области получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов в вакууме и может быть использована для производства кремнийсодержащих логических компонентов приборов наноэлектроники, композитных материалов для реального сектора экономики. Устройство состоит из вакуумной камеры, к корпусу которой посредством фланцевых соединений присоединены система откачки и контроля давления, источник кремния, выполненный с возможностью подсоединения через кабель к источнику питания, кварцевые микровесы, выполненные с возможностью подсоединения через токоввод, соединенным с фланцем вакуумной камеры, к блоку управления, нагревательный элемент, выполненный с возможностью подсоединения через кабель к источнику питания. На нагревательном элементе закреплена монокристаллическая вольфрамовая подложка с нанесенным на ее поверхность слоем монокристаллического серебра. Кварцевые микровесы и нагревательный элемент закреплены внутри камеры на одинаковом расстоянии от источника кремния и симметрично относительно его оси. После получения вакуума в камере, источник питания нагревательного элемента включается. При достижении монокристаллической вольфрамовой подложки с предварительно нанесенным монокристаллическим слоем серебра определенной температуры (в диапазоне от 200°С до 300°С) включается источник кремния, скорость нанесения которого настраивается источником питания (в диапазоне от 0.01 до 0.02 нм/мин). Контроль скорости потока кремния от источника проводится при помощи блока управления кварцевыми микровесами. После нанесения одного монослоя кремния на поверхность монокристаллического слоя серебра источник кремния выключается. По прошествии 5-15 мин источник питания выключается, и нагреватель охлаждается до комнатной температуры. Силицен формируется за счет миграции атомов кремния на поверхности нагретой монокристаллической вольфрамовой подложки с нанесенным на ее поверхность слоем монокристаллического серебра, а кристаллическая ориентация силицена задается структурными параметрами слоя серебра. Увеличение подвижности носителей заряда в получаемом силицене достигается за счет уменьшения числа разнонаправленных доменов силицена на микромасштабе, вследствие использования монокристаллического слоя серебра.
AB - Полезная модель относится к области получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов в вакууме и может быть использована для производства кремнийсодержащих логических компонентов приборов наноэлектроники, композитных материалов для реального сектора экономики. Устройство состоит из вакуумной камеры, к корпусу которой посредством фланцевых соединений присоединены система откачки и контроля давления, источник кремния, выполненный с возможностью подсоединения через кабель к источнику питания, кварцевые микровесы, выполненные с возможностью подсоединения через токоввод, соединенным с фланцем вакуумной камеры, к блоку управления, нагревательный элемент, выполненный с возможностью подсоединения через кабель к источнику питания. На нагревательном элементе закреплена монокристаллическая вольфрамовая подложка с нанесенным на ее поверхность слоем монокристаллического серебра. Кварцевые микровесы и нагревательный элемент закреплены внутри камеры на одинаковом расстоянии от источника кремния и симметрично относительно его оси. После получения вакуума в камере, источник питания нагревательного элемента включается. При достижении монокристаллической вольфрамовой подложки с предварительно нанесенным монокристаллическим слоем серебра определенной температуры (в диапазоне от 200°С до 300°С) включается источник кремния, скорость нанесения которого настраивается источником питания (в диапазоне от 0.01 до 0.02 нм/мин). Контроль скорости потока кремния от источника проводится при помощи блока управления кварцевыми микровесами. После нанесения одного монослоя кремния на поверхность монокристаллического слоя серебра источник кремния выключается. По прошествии 5-15 мин источник питания выключается, и нагреватель охлаждается до комнатной температуры. Силицен формируется за счет миграции атомов кремния на поверхности нагретой монокристаллической вольфрамовой подложки с нанесенным на ее поверхность слоем монокристаллического серебра, а кристаллическая ориентация силицена задается структурными параметрами слоя серебра. Увеличение подвижности носителей заряда в получаемом силицене достигается за счет уменьшения числа разнонаправленных доменов силицена на микромасштабе, вследствие использования монокристаллического слоя серебра.
M3 - патент
M1 - RU218247U1
Y2 - 2022/10/31
PB - Федеральная служба по интеллектуальной собственности
ER -
ID: 105197962