Полезная модель относится к области получения эпитаксиальных тонкопленочных материалов в вакууме и может быть использована для производства кремнийсодержащих логических компонентов приборов наноэлектроники, композитных материалов для реального сектора экономики. Устройство состоит из вакуумной камеры, к корпусу которой посредством фланцевых соединений присоединены система откачки и контроля давления, источник кремния, выполненный с возможностью подсоединения через кабель к источнику питания, кварцевые микровесы, выполненные с возможностью подсоединения через токоввод, соединенным с фланцем вакуумной камеры, к блоку управления, нагревательный элемент, выполненный с возможностью подсоединения через кабель к источнику питания. На нагревательном элементе закреплена монокристаллическая вольфрамовая подложка с нанесенным на ее поверхность слоем монокристаллического серебра. Кварцевые микровесы и нагревательный элемент закреплены внутри камеры на одинаковом расстоянии от источника кремния и симметрично относительно его оси. После получения вакуума в камере, источник питания нагревательного элемента включается. При достижении монокристаллической вольфрамовой подложки с предварительно нанесенным монокристаллическим слоем серебра определенной температуры (в диапазоне от 200°С до 300°С) включается источник кремния, скорость нанесения которого настраивается источником питания (в диапазоне от 0.01 до 0.02 нм/мин). Контроль скорости потока кремния от источника проводится при помощи блока управления кварцевыми микровесами. После нанесения одного монослоя кремния на поверхность монокристаллического слоя серебра источник кремния выключается. По прошествии 5-15 мин источник питания выключается, и нагреватель охлаждается до комнатной температуры. Силицен формируется за счет миграции атомов кремния на поверхности нагретой монокристаллической вольфрамовой подложки с нанесенным на ее поверхность слоем монокристаллического серебра, а кристаллическая ориентация силицена задается структурными параметрами слоя серебра. Увеличение подвижности носителей заряда в получаемом силицене достигается за счет уменьшения числа разнонаправленных доменов силицена на микромасштабе, вследствие использования монокристаллического слоя серебра.