171 - 180 из 181Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 1997

  2. Mathematical modelling and self-consistent calculation of the charge density of two-dimensional electron's system

    Ivankiv, I. M., Yafyasov, A. M., Bogevolnov, V. B., Pavlov, B. S. & Rudakova, T. V., июн 1997, 22 стр. (Department Maths Report Series 383)

    Результаты исследований: Книги, отчёты, сборники › отчёт/доклад › научная › Рецензирование

  3. 1996

  4. The dynamics of adsorption on the semiconductor surface.

    Яфясов, А. А. М., 1996.

    Результаты исследований: Материалы конференций › тезисы › Рецензирование

  5. 1994

  6. Parameters of band structure in surface layers of zero‐gap semiconductors (CdHg)Te

    Yafyasov, A., Bogevolnov, V. & Perepelkin, A., 1 янв 1994, в: physica status solidi (b). 183, 2, стр. 419-423 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  7. 1987

  8. Физико-химические основы микроэлектроники конструирования и технологии РЭА и ЭВА.

    Яфясов, А. А. М., 1987, Физико-химические основы микроэлектроники конструирования и технологии РЭА и ЭВА. .

    Результаты исследований: Публикации в книгах, отчётах, сборниках, трудах конференций › глава/раздел › учебная › Рецензирование

  9. 1986

  10. Manifestation of Structure and Occupation of Energy Bands in Surface Effects of Semiconductors

    Romanov, O. V. & Yafyasov, A. M., 1 янв 1986, в: physica status solidi (a). 94, 1, стр. 235-242 8 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  11. 1984

  12. INVESTIGATION OF THE SELF-DEPOSITION OF Au AND Ag ON A GERMANIUM ELECTRODE.

    Romanov, O. V. & Yafyasov, A. M., 1 авг 1984, в: SOVIET ELECTROCHEMISTRY. 20, 8, стр. 998-1001 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  13. CHARACTERISTICS OF THE Si-SiO2 PHASE BOUNDARY AND THE SURFACE MOBILITY OF HOLES IN AN INVERSION LAYER.

    Uritskii, V. Y., Romanov, O. V. & Yafyasov, A. M., 1 янв 1984, в: Soviet physics. Semiconductors. 18, 3, стр. 247-249 3 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  14. POTENTIODYNAMIC MEASUREMENTS OF THE MOBILITY OF FREE CHARGE CARRIERS ON A SEMICONDUCTING ELECTRODE.

    Romanov, O. V. & Yafyasov, A. M., 1 янв 1984, в: SOVIET ELECTROCHEMISTRY. 20, 1, стр. 90-93 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  15. 1983

  16. INFLUENCE OF BAND DEGENERACY AND NONPARABOLICITY ON THE MEASUREMENTS OF SURFACE EFFECTS IN SEMICONDUCTORS.

    Kapitonov, M. V., Yafyasov, A. M. & Romanov, O. V., 1 янв 1983, в: Soviet physics. Semiconductors. 17, 5, стр. 511-514 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  17. 1979

  18. EFFECT OF THE POTENTIAL BARRIER SHAPE ON HOLE TRANSPORT IN A SURFACE INVERSION CHANNEL.

    Romanov, O. V. & Yafyasov, A. M., 1 янв 1979, в: Soviet Microelectronics (English Translation of Mikroelektronika). 8, 3, стр. 198-202 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

Назад 1...14 15 16 17 18 19 Далее

ID: 152522