1. 1983
  2. STRAIN INDUCED EFFECTS OF DISLOCATIONS IN CdS:SHIFT OF EXCITONIC LINES. PHOTOVOLTAIC EFFECT.

    Vyvenko, O., 1 янв 1983, в: Journal De Physique. 44, 9, стр. 149-155 7 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  3. 1982
  4. PARAMETERS OF THE INTERACTION BETWEEN HYDROGEN AND NICKEL.

    Afanas'eva, E. Y., Gabis, I. E. & Kurdyumov, A. A., 1 янв 1982, в: Soviet physics. Technical physics. 27, 5, стр. 585-589 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  5. 1979
  6. EFFECT OF FLUORIDE IONS ON THE PROPERTIES OF AN SI-SiO2 STRUCTURE.

    Tarantov, Y. A., Baraban, A. P. & Konorov, P. P., 1 янв 1979, в: Soviet Microelectronics (English Translation of Mikroelektronika). 8, 2, стр. 136-137 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  7. EFFECT OF THE POTENTIAL BARRIER SHAPE ON HOLE TRANSPORT IN A SURFACE INVERSION CHANNEL.

    Romanov, O. V. & Yafyasov, A. M., 1 янв 1979, в: Soviet Microelectronics (English Translation of Mikroelektronika). 8, 3, стр. 198-202 5 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  8. FEATURES OF THE RELAXATION OF THE NONEQUILIBRIUM CAPACITANCE OF Si-SiO2 STRUCTURES IN INTENSE ELECTRIC FIELDS.

    Baraban, A. P. & Tarantov, Y. A., 1 янв 1979, в: Soviet Microelectronics (English Translation of Mikroelektronika). 8, 4, стр. 285-286 2 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

  9. 1976
  10. INFLUENCE OF ION IMPLANTATION ON SURFACE TRANSPORT OF CARRIERS IN SILICON.

    Romanov, O. V., Uritskii, V. Y. & Yafyasov, A. M., 1976, в: Sov Phys Semicond. 10, 2, стр. 198-201 4 стр.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданияхстатьяРецензирование

Назад 1...151 152 153 154 155 Далее

ID: 31041