1 - 2 из 2Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2022

  2. Selective area epitaxy of GaAs: the unintuitive role of feature size and pitch

    Dede, D., Glas, F., Piazza, V., Morgan, N., Friedl, M., Güniat, L., Nur Dayi, E., Balgarkashi, A., Dubrovskii, V. G. & Fontcuberta i Morral, A., 26 ноя 2022, в: Nanotechnology. 33, 48, 485604.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

  3. 2018

  4. Enhanced surface state protection and band gap in the topological insulator PbBi4 Te4 S3

    Sumida, K., Natsumeda, T., Miyamoto, K., Silkin, I. V., Kuroda, K., Shirai, K., Zhu, S., Taguchi, K., Arita, M., Fujii, J., Varykhalov, A., Rader, O., Golyashov, V. A., Kokh, K. A., Tereshchenko, O. E., Chulkov, E. V., Okuda, T. & Kimura, A., 1 окт 2018, в: PHYSICAL REVIEW MATERIALS. 2, 10, 104201.

    Результаты исследований: Научные публикации в периодических изданиях › статья › Рецензирование

ID: 45529494