В работе исследована структура пристеночного слоя газового разряда около плоской
поверхности, находящейся при отрицательном потенциале, большем средней энергии
электронов. Показано, что при условиях, когда средняя энергия ионов в плазме много
меньше таковой для электронов, параметры пристеночного слоя слабо зависят от
взаимной ориентации нормали к поверхности и электрического поля в плазме для
произвольного отношения радиуса Дебая к длине свободного пробега ионов
относительно резонансной перезарядки.