Гетероструктуры Cr-содержащая ферромагнитная пленка – топологический изолятор, как перспективные материалы для реализации квантового аномального эффекта Холла

Standard

Гетероструктуры Cr-содержащая ферромагнитная пленка – топологический изолятор, как перспективные материалы для реализации квантового аномального эффекта Холла. / Петров, Евгений Константинович; Силкин , Игорь Вячеславович; Чулков, Евгений Владимирович; Меньщикова, Татьяна Викторовна.

In: ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ", Vol. 109, No. 1-2, 2019, p. 118-123.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

BibTeX

@article{86179702559448349bdd02c055926ac2,

title = "Гетероструктуры Cr-содержащая ферромагнитная пленка – топологический изолятор, как перспективные материалы для реализации квантового аномального эффекта Холла",

abstract = "В настоящей работе мы представляем результаты теоретического исследования двух гетероструктур, состоящих из подложки топологического изолятора Bi2Se3 и тонкой пленки ферромагнитного изолятора CrI3 или CrBi2Se4. Рассчитанный электронный спектр свидетельствует о том, что в обеих гетероструктурах реализуется квантовый аномальный эффект Холла, с величиной расщепления топологического поверхностного состояния 19 и 92 мэВ для CrI3/Bi2 Se3 и CrBi2Se4/Bi2 Se3, соответственно. Показано, что основное влияние на величину энергетической щели оказывает степень локализации волновой функции топологического состояния в ферромагнитной пленке, которая зависит от величины и ширины интерфейсного барьера на границе раздела подложки и ферромагнитного материала. В случае системы CrBi2 Se4/Bi2Se3 как величина, так и ширина барьера подобны таковым характеристикам ван-дер-ваальсового барьера в объемном Bi2Se3.",

author = "Петров, {Евгений Константинович} and Силкин, {Игорь Вячеславович} and Чулков, {Евгений Владимирович} and Меньщикова, {Татьяна Викторовна}",

note = "Е. К. Петров, И. В. Силкин, Т. В. Меньщикова, Е. В. Чулков, “Гетероструктуры Cr-содержащая ферромагнитная пленка – топологический изолятор, как перспективные материалы для реализации квантового аномального эффекта Холла”, Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019), 118–123; JETP Letters, 109:2 (2019), 121–125",

year = "2019",

language = "русский",

volume = "109",

pages = "118--123",

journal = "ПИСЬМА В {"}ЖУРНАЛ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ{"}",

issn = "0370-274X",

publisher = "Издательство {"}Наука{"}",

number = "1-2",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Гетероструктуры Cr-содержащая ферромагнитная пленка – топологический изолятор, как перспективные материалы для реализации квантового аномального эффекта Холла

AU - Петров, Евгений Константинович

AU - Силкин , Игорь Вячеславович

AU - Чулков, Евгений Владимирович

AU - Меньщикова, Татьяна Викторовна

N1 - Е. К. Петров, И. В. Силкин, Т. В. Меньщикова, Е. В. Чулков, “Гетероструктуры Cr-содержащая ферромагнитная пленка – топологический изолятор, как перспективные материалы для реализации квантового аномального эффекта Холла”, Письма в ЖЭТФ, 109:2 (2019), 118–123; JETP Letters, 109:2 (2019), 121–125

PY - 2019

Y1 - 2019

N2 - В настоящей работе мы представляем результаты теоретического исследования двух гетероструктур, состоящих из подложки топологического изолятора Bi2Se3 и тонкой пленки ферромагнитного изолятора CrI3 или CrBi2Se4. Рассчитанный электронный спектр свидетельствует о том, что в обеих гетероструктурах реализуется квантовый аномальный эффект Холла, с величиной расщепления топологического поверхностного состояния 19 и 92 мэВ для CrI3/Bi2 Se3 и CrBi2Se4/Bi2 Se3, соответственно. Показано, что основное влияние на величину энергетической щели оказывает степень локализации волновой функции топологического состояния в ферромагнитной пленке, которая зависит от величины и ширины интерфейсного барьера на границе раздела подложки и ферромагнитного материала. В случае системы CrBi2 Se4/Bi2Se3 как величина, так и ширина барьера подобны таковым характеристикам ван-дер-ваальсового барьера в объемном Bi2Se3.

AB - В настоящей работе мы представляем результаты теоретического исследования двух гетероструктур, состоящих из подложки топологического изолятора Bi2Se3 и тонкой пленки ферромагнитного изолятора CrI3 или CrBi2Se4. Рассчитанный электронный спектр свидетельствует о том, что в обеих гетероструктурах реализуется квантовый аномальный эффект Холла, с величиной расщепления топологического поверхностного состояния 19 и 92 мэВ для CrI3/Bi2 Se3 и CrBi2Se4/Bi2 Se3, соответственно. Показано, что основное влияние на величину энергетической щели оказывает степень локализации волновой функции топологического состояния в ферромагнитной пленке, которая зависит от величины и ширины интерфейсного барьера на границе раздела подложки и ферромагнитного материала. В случае системы CrBi2 Se4/Bi2Se3 как величина, так и ширина барьера подобны таковым характеристикам ван-дер-ваальсового барьера в объемном Bi2Se3.

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=36855228

UR - https://vital.lib.tsu.ru/vital/access/manager/Repository/vtls:000787978

UR - http://jetpletters.ru/ps/2207/article_33086.pdf

UR - https://www.mathnet.ru/php/archive.phtml?wshow=paper&jrnid=jetpl&paperid=5804&option_lang=rus

M3 - статья

VL - 109

SP - 118

EP - 123

JO - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

JF - ПИСЬМА В "ЖУРНАЛ ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНОЙ И ТЕОРЕТИЧЕСКОЙ ФИЗИКИ"

SN - 0370-274X

IS - 1-2

ER -

ID: 49553328