В настоящей работе мы представляем результаты теоретического исследования двух гетероструктур, состоящих из подложки топологического изолятора Bi2Se3 и тонкой пленки ферромагнитного изолятора CrI3 или CrBi2Se4. Рассчитанный электронный спектр свидетельствует о том, что в обеих гетероструктурах реализуется квантовый аномальный эффект Холла, с величиной расщепления топологического поверхностного состояния 19 и 92 мэВ для CrI3/Bi2 Se3 и CrBi2Se4/Bi2 Se3, соответственно. Показано, что основное влияние на величину энергетической щели оказывает степень локализации волновой функции топологического состояния в ферромагнитной пленке, которая зависит от величины и ширины интерфейсного барьера на границе раздела подложки и ферромагнитного материала. В случае системы CrBi2 Se4/Bi2Se3 как величина, так и ширина барьера подобны таковым характеристикам ван-дер-ваальсового барьера в объемном Bi2Se3.