Standard

Выращивание кристаллов K2O×8Ga2O3 из раствора в расплаве KF и исследование их свойств. / Вывенко, Олег Федорович; Шапенков, Севастьян Владимирович; Варыгин, Георгий Владимирович; Носов, Ю.Г.; Щеглов, М.П. ; Кицай, А.А.; Чикиряка, А.В.; Николаев, В. И.

In: ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ, Vol. 133, No. 11, 11.2025, p. 1150-1153.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Вывенко, ОФ, Шапенков, СВ, Варыгин, ГВ, Носов, ЮГ, Щеглов, МП, Кицай, АА, Чикиряка, АВ & Николаев, ВИ 2025, 'Выращивание кристаллов K2O×8Ga2O3 из раствора в расплаве KF и исследование их свойств', ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ, vol. 133, no. 11, pp. 1150-1153. https://doi.org/10.61011/OS.2025.11.62161.7925-25

APA

Вывенко, О. Ф., Шапенков, С. В., Варыгин, Г. В., Носов, Ю. Г., Щеглов, М. П., Кицай, А. А., Чикиряка, А. В., & Николаев, В. И. (2025). Выращивание кристаллов K2O×8Ga2O3 из раствора в расплаве KF и исследование их свойств. ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ, 133(11), 1150-1153. https://doi.org/10.61011/OS.2025.11.62161.7925-25

Vancouver

Вывенко ОФ, Шапенков СВ, Варыгин ГВ, Носов ЮГ, Щеглов МП, Кицай АА et al. Выращивание кристаллов K2O×8Ga2O3 из раствора в расплаве KF и исследование их свойств. ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ. 2025 Nov;133(11):1150-1153. https://doi.org/10.61011/OS.2025.11.62161.7925-25

Author

Вывенко, Олег Федорович ; Шапенков, Севастьян Владимирович ; Варыгин, Георгий Владимирович ; Носов, Ю.Г. ; Щеглов, М.П. ; Кицай, А.А. ; Чикиряка, А.В. ; Николаев, В. И. / Выращивание кристаллов K2O×8Ga2O3 из раствора в расплаве KF и исследование их свойств. In: ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ. 2025 ; Vol. 133, No. 11. pp. 1150-1153.

BibTeX

@article{537616253f374da79f5d06d803ba642e,
title = "Выращивание кристаллов K2O×8Ga2O3 из раствора в расплаве KF и исследование их свойств",
abstract = "Представлены результаты исследований кристаллографических, электрических и оптических свойств кристаллов K2O × 8Ga2O3, впервые полученных при взаимодействии раствора Ga2O3 с расплавом KF. Кристаллическая структура образцов соответствовала гексагональному P63mc β-галлату с параметрами решетки a= 5.80A и c = 23.5 ˚A. Кристаллы являлись изоляторами с сопротивлением порядка 2–3 GΩ на 450μm длины. Впервые для K2O × 8Ga2O3 определены оптическая ширина запрещенной зоны в 3.77 eV и собственная полоса люминесценции в диапазоне 2.0–2.5 eV.",
keywords = "оксид галлия, галлаты, рост кристаллов, катодолюминесценция",
author = "Вывенко, {Олег Федорович} and Шапенков, {Севастьян Владимирович} and Варыгин, {Георгий Владимирович} and Ю.Г. Носов and М.П. Щеглов and А.А. Кицай and А.В. Чикиряка and Николаев, {В. И.}",
note = " Ю. Г. Носов, С. В. Шапенков, О. Ф. Вывенко, Г. В. Варыгин, М. П. Щеглов, А. А. Кицай, А. В. Чикиряка, В. И. Николаев, “Выращивание кристаллов K2O × 8Ga2O3 из раствора в расплаве KF и исследование их свойств”, Оптика и спектроскопия, 133:11 (2025), 1150–1153",
year = "2025",
month = nov,
doi = "10.61011/OS.2025.11.62161.7925-25",
language = "русский",
volume = "133",
pages = "1150--1153",
journal = "ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ",
issn = "0030-4034",
publisher = "Международная книга",
number = "11",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Выращивание кристаллов K2O×8Ga2O3 из раствора в расплаве KF и исследование их свойств

AU - Вывенко, Олег Федорович

AU - Шапенков, Севастьян Владимирович

AU - Варыгин, Георгий Владимирович

AU - Носов, Ю.Г.

AU - Щеглов, М.П.

AU - Кицай, А.А.

AU - Чикиряка, А.В.

AU - Николаев, В. И.

N1 - Ю. Г. Носов, С. В. Шапенков, О. Ф. Вывенко, Г. В. Варыгин, М. П. Щеглов, А. А. Кицай, А. В. Чикиряка, В. И. Николаев, “Выращивание кристаллов K2O × 8Ga2O3 из раствора в расплаве KF и исследование их свойств”, Оптика и спектроскопия, 133:11 (2025), 1150–1153

PY - 2025/11

Y1 - 2025/11

N2 - Представлены результаты исследований кристаллографических, электрических и оптических свойств кристаллов K2O × 8Ga2O3, впервые полученных при взаимодействии раствора Ga2O3 с расплавом KF. Кристаллическая структура образцов соответствовала гексагональному P63mc β-галлату с параметрами решетки a= 5.80A и c = 23.5 ˚A. Кристаллы являлись изоляторами с сопротивлением порядка 2–3 GΩ на 450μm длины. Впервые для K2O × 8Ga2O3 определены оптическая ширина запрещенной зоны в 3.77 eV и собственная полоса люминесценции в диапазоне 2.0–2.5 eV.

AB - Представлены результаты исследований кристаллографических, электрических и оптических свойств кристаллов K2O × 8Ga2O3, впервые полученных при взаимодействии раствора Ga2O3 с расплавом KF. Кристаллическая структура образцов соответствовала гексагональному P63mc β-галлату с параметрами решетки a= 5.80A и c = 23.5 ˚A. Кристаллы являлись изоляторами с сопротивлением порядка 2–3 GΩ на 450μm длины. Впервые для K2O × 8Ga2O3 определены оптическая ширина запрещенной зоны в 3.77 eV и собственная полоса люминесценции в диапазоне 2.0–2.5 eV.

KW - оксид галлия

KW - галлаты

KW - рост кристаллов

KW - катодолюминесценция

U2 - 10.61011/OS.2025.11.62161.7925-25

DO - 10.61011/OS.2025.11.62161.7925-25

M3 - статья

VL - 133

SP - 1150

EP - 1153

JO - ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ

JF - ОПТИКА И СПЕКТРОСКОПИЯ

SN - 0030-4034

IS - 11

ER -

ID: 149860227