Представлены результаты исследований кристаллографических, электрических и оптических свойств кристаллов K2O × 8Ga2O3, впервые полученных при взаимодействии раствора Ga2O3 с расплавом KF. Кристаллическая структура образцов соответствовала гексагональному P63mc β-галлату с параметрами решетки a= 5.80A и c = 23.5 ˚A
. Кристаллы являлись изоляторами с сопротивлением порядка 2–3 GΩ на 450μm длины. Впервые для K2O × 8Ga2O3
определены оптическая ширина запрещенной зоны в 3.77 eV и собственная полоса люминесценции в диапазоне 2.0–2.5 eV.