Standard

Электрофизические свойства многослойной структуры SiC−Si. / Божевольнов, В.Б.; Яфясов, А.М.; Миайловский, В.Ю.; Егорова, Ю.В.; Соколов, А.А.; Филатова, Е.О.

In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Vol. 48, No. 6, 2014, p. 814 - 817.

Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

Harvard

Божевольнов, ВБ, Яфясов, АМ, Миайловский, ВЮ, Егорова, ЮВ, Соколов, АА & Филатова, ЕО 2014, 'Электрофизические свойства многослойной структуры SiC−Si', ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, vol. 48, no. 6, pp. 814 - 817.

APA

Божевольнов, В. Б., Яфясов, А. М., Миайловский, В. Ю., Егорова, Ю. В., Соколов, А. А., & Филатова, Е. О. (2014). Электрофизические свойства многослойной структуры SiC−Si. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, 48(6), 814 - 817.

Vancouver

Божевольнов ВБ, Яфясов АМ, Миайловский ВЮ, Егорова ЮВ, Соколов АА, Филатова ЕО. Электрофизические свойства многослойной структуры SiC−Si. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2014;48(6):814 - 817.

Author

Божевольнов, В.Б. ; Яфясов, А.М. ; Миайловский, В.Ю. ; Егорова, Ю.В. ; Соколов, А.А. ; Филатова, Е.О. / Электрофизические свойства многослойной структуры SiC−Si. In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2014 ; Vol. 48, No. 6. pp. 814 - 817.

BibTeX

@article{2e337c70fd6f49bfa2f1289e8db28c1e,
title = "Электрофизические свойства многослойной структуры SiC−Si",
author = "В.Б. Божевольнов and А.М. Яфясов and В.Ю. Миайловский and Ю.В. Егорова and А.А. Соколов and Е.О. Филатова",
year = "2014",
language = "русский",
volume = "48",
pages = "814 -- 817",
journal = "ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "6",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Электрофизические свойства многослойной структуры SiC−Si

AU - Божевольнов, В.Б.

AU - Яфясов, А.М.

AU - Миайловский, В.Ю.

AU - Егорова, Ю.В.

AU - Соколов, А.А.

AU - Филатова, Е.О.

PY - 2014

Y1 - 2014

M3 - статья

VL - 48

SP - 814

EP - 817

JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

SN - 0015-3222

IS - 6

ER -

ID: 5692065