Изучены диэлектрические свойства планарных гетероструктур Si/SiO2, играющих важную роль в современной электронике. С применением модели диэлектрического континуума исследованы спектры полярных оптических фононов в бинарных сверхрешетках Si/SiO_2. В качестве структурной модели оксидного слоя рассмотрены решетки кварца и кристобалита. Получены зависимости частот полярных оптических фононов и значения элементов тензора высокочастотной диэлектрической проницаемости от отношения толщин слоев. Полученные результаты открывают возможность использования спектроскопических данных для характеризации структуры сверхрешеток.