Standard

ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРЕВРА ЩЕНИЯ В ПЛЕНКАХ GA-GE-S:ER, ПОЛУЧЕННЫХ ЛАЗЕРНЫМ НАПЫЛЕНИЕМ. / Тверьянович, А. С.; Борисов, Е. Н.; Соколова, О. А.; Тверьянович, Ю. С.

In: ФИЗИКА И ХИМИЯ СТЕКЛА, No. 2, 2005, p. 235-238.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Тверьянович, АС, Борисов, ЕН, Соколова, ОА & Тверьянович, ЮС 2005, 'ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРЕВРА ЩЕНИЯ В ПЛЕНКАХ GA-GE-S:ER, ПОЛУЧЕННЫХ ЛАЗЕРНЫМ НАПЫЛЕНИЕМ', ФИЗИКА И ХИМИЯ СТЕКЛА, no. 2, pp. 235-238. <http://elibrary.ru/item.asp?id=9151697>

APA

Тверьянович, А. С., Борисов, Е. Н., Соколова, О. А., & Тверьянович, Ю. С. (2005). ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРЕВРА ЩЕНИЯ В ПЛЕНКАХ GA-GE-S:ER, ПОЛУЧЕННЫХ ЛАЗЕРНЫМ НАПЫЛЕНИЕМ. ФИЗИКА И ХИМИЯ СТЕКЛА, (2), 235-238. http://elibrary.ru/item.asp?id=9151697

Vancouver

Тверьянович АС, Борисов ЕН, Соколова ОА, Тверьянович ЮС. ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРЕВРА ЩЕНИЯ В ПЛЕНКАХ GA-GE-S:ER, ПОЛУЧЕННЫХ ЛАЗЕРНЫМ НАПЫЛЕНИЕМ. ФИЗИКА И ХИМИЯ СТЕКЛА. 2005;(2):235-238.

Author

Тверьянович, А. С. ; Борисов, Е. Н. ; Соколова, О. А. ; Тверьянович, Ю. С. / ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРЕВРА ЩЕНИЯ В ПЛЕНКАХ GA-GE-S:ER, ПОЛУЧЕННЫХ ЛАЗЕРНЫМ НАПЫЛЕНИЕМ. In: ФИЗИКА И ХИМИЯ СТЕКЛА. 2005 ; No. 2. pp. 235-238.

BibTeX

@article{d83c427b9f0841dc81236e1226f7fbae,
title = "ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРЕВРА ЩЕНИЯ В ПЛЕНКАХ GA-GE-S:ER, ПОЛУЧЕННЫХ ЛАЗЕРНЫМ НАПЫЛЕНИЕМ",
abstract = "УФ лазерным напылением получены пленки системы Ga2S3-GeS2-Er2S3. Обнаружен эффект фотоиндуцированного фотопросветления, величина которого может достигать 120 нм. При этом показатель преломления уменьшается на 15 %. Предложен механизм эффекта и реализована запись изображения.",
author = "Тверьянович, {А. С.} and Борисов, {Е. Н.} and Соколова, {О. А.} and Тверьянович, {Ю. С.}",
year = "2005",
language = "русский",
pages = "235--238",
journal = "ФИЗИКА И ХИМИЯ СТЕКЛА",
issn = "0132-6651",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "2",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ФОТОИНДУЦИРОВАННЫЕ ПРЕВРА ЩЕНИЯ В ПЛЕНКАХ GA-GE-S:ER, ПОЛУЧЕННЫХ ЛАЗЕРНЫМ НАПЫЛЕНИЕМ

AU - Тверьянович, А. С.

AU - Борисов, Е. Н.

AU - Соколова, О. А.

AU - Тверьянович, Ю. С.

PY - 2005

Y1 - 2005

N2 - УФ лазерным напылением получены пленки системы Ga2S3-GeS2-Er2S3. Обнаружен эффект фотоиндуцированного фотопросветления, величина которого может достигать 120 нм. При этом показатель преломления уменьшается на 15 %. Предложен механизм эффекта и реализована запись изображения.

AB - УФ лазерным напылением получены пленки системы Ga2S3-GeS2-Er2S3. Обнаружен эффект фотоиндуцированного фотопросветления, величина которого может достигать 120 нм. При этом показатель преломления уменьшается на 15 %. Предложен механизм эффекта и реализована запись изображения.

M3 - статья

SP - 235

EP - 238

JO - ФИЗИКА И ХИМИЯ СТЕКЛА

JF - ФИЗИКА И ХИМИЯ СТЕКЛА

SN - 0132-6651

IS - 2

ER -

ID: 5026657