УФ лазерным напылением получены пленки системы Ga2S3-GeS2-Er2S3. Обнаружен эффект фотоиндуцированного фотопросветления, величина которого может достигать 120 нм. При этом показатель преломления уменьшается на 15 %. Предложен механизм эффекта и реализована запись изображения.
