Standard

Экситонные состояния в узких квантовых ямах InxGa1-xAs/GaAs. / Григорьева, Наталья Романовна; Михайлов, Андрей Валерьевич; Храмцов, Евгений Сергеевич; Игнатьев, Иван Владимирович.

In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, Vol. 65, No. 11, 01.11.2023, p. 1899-1908.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Григорьева, НР, Михайлов, АВ, Храмцов, ЕС & Игнатьев, ИВ 2023, 'Экситонные состояния в узких квантовых ямах InxGa1-xAs/GaAs', ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, vol. 65, no. 11, pp. 1899-1908. https://doi.org/10.21883/FTT.2023.11.56543.201

APA

Григорьева, Н. Р., Михайлов, А. В., Храмцов, Е. С., & Игнатьев, И. В. (2023). Экситонные состояния в узких квантовых ямах InxGa1-xAs/GaAs. ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, 65(11), 1899-1908. https://doi.org/10.21883/FTT.2023.11.56543.201

Vancouver

Григорьева НР, Михайлов АВ, Храмцов ЕС, Игнатьев ИВ. Экситонные состояния в узких квантовых ямах InxGa1-xAs/GaAs. ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 2023 Nov 1;65(11):1899-1908. https://doi.org/10.21883/FTT.2023.11.56543.201

Author

Григорьева, Наталья Романовна ; Михайлов, Андрей Валерьевич ; Храмцов, Евгений Сергеевич ; Игнатьев, Иван Владимирович. / Экситонные состояния в узких квантовых ямах InxGa1-xAs/GaAs. In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 2023 ; Vol. 65, No. 11. pp. 1899-1908.

BibTeX

@article{afbdf31b2e7c46fd87aba0959d6d0b81,
title = "Экситонные состояния в узких квантовых ямах InxGa1-xAs/GaAs",
abstract = "Исследованы спектры отражения высококачественной гетероструктуры с узкой квантовой ямой InxGa1-xAs/GaAs (x=0.022). Выполнено микроскопическое моделирование экситонного спектра с помощью численного решения трехмерного уравнения Шредингера. Показано, что два экситонных резонанса, находящихся ниже энергии свободного экситона в GaAs, формируются экситоном с тяжелой дыркой, локализованном в квантовой яме. Профиль потенциала квантовой ямы определен в рамках теоретической модели с параметрами, рассчитанными из первых принципов. Для изученной структуры получено соотношение разрывов валентной зоны (Ev) и зоны проводимости (Ec): E_c:E_v=64:36. Ключевые слова: экситоны, поляритоны, гетроструктуры, квантовая яма, микроскопический расчет.",
author = "Григорьева, {Наталья Романовна} and Михайлов, {Андрей Валерьевич} and Храмцов, {Евгений Сергеевич} and Игнатьев, {Иван Владимирович}",
year = "2023",
month = nov,
day = "1",
doi = "10.21883/FTT.2023.11.56543.201",
language = "русский",
volume = "65",
pages = "1899--1908",
journal = "ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА",
issn = "0367-3294",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "11",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Экситонные состояния в узких квантовых ямах InxGa1-xAs/GaAs

AU - Григорьева, Наталья Романовна

AU - Михайлов, Андрей Валерьевич

AU - Храмцов, Евгений Сергеевич

AU - Игнатьев, Иван Владимирович

PY - 2023/11/1

Y1 - 2023/11/1

N2 - Исследованы спектры отражения высококачественной гетероструктуры с узкой квантовой ямой InxGa1-xAs/GaAs (x=0.022). Выполнено микроскопическое моделирование экситонного спектра с помощью численного решения трехмерного уравнения Шредингера. Показано, что два экситонных резонанса, находящихся ниже энергии свободного экситона в GaAs, формируются экситоном с тяжелой дыркой, локализованном в квантовой яме. Профиль потенциала квантовой ямы определен в рамках теоретической модели с параметрами, рассчитанными из первых принципов. Для изученной структуры получено соотношение разрывов валентной зоны (Ev) и зоны проводимости (Ec): E_c:E_v=64:36. Ключевые слова: экситоны, поляритоны, гетроструктуры, квантовая яма, микроскопический расчет.

AB - Исследованы спектры отражения высококачественной гетероструктуры с узкой квантовой ямой InxGa1-xAs/GaAs (x=0.022). Выполнено микроскопическое моделирование экситонного спектра с помощью численного решения трехмерного уравнения Шредингера. Показано, что два экситонных резонанса, находящихся ниже энергии свободного экситона в GaAs, формируются экситоном с тяжелой дыркой, локализованном в квантовой яме. Профиль потенциала квантовой ямы определен в рамках теоретической модели с параметрами, рассчитанными из первых принципов. Для изученной структуры получено соотношение разрывов валентной зоны (Ev) и зоны проводимости (Ec): E_c:E_v=64:36. Ключевые слова: экситоны, поляритоны, гетроструктуры, квантовая яма, микроскопический расчет.

U2 - 10.21883/FTT.2023.11.56543.201

DO - 10.21883/FTT.2023.11.56543.201

M3 - статья

VL - 65

SP - 1899

EP - 1908

JO - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

JF - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

SN - 0367-3294

IS - 11

ER -

ID: 113632837