Исследованы спектры отражения высококачественной гетероструктуры с узкой квантовой ямой InxGa1-xAs/GaAs (x=0.022). Выполнено микроскопическое моделирование экситонного спектра с помощью численного решения трехмерного уравнения Шредингера. Показано, что два экситонных резонанса, находящихся ниже энергии свободного экситона в GaAs, формируются экситоном с тяжелой дыркой, локализованном в квантовой яме. Профиль потенциала квантовой ямы определен в рамках теоретической модели с параметрами, рассчитанными из первых принципов. Для изученной структуры получено соотношение разрывов валентной зоны (Ev) и зоны проводимости (Ec): E_c:E_v=64:36. Ключевые слова: экситоны, поляритоны, гетроструктуры, квантовая яма, микроскопический расчет.