Standard

Исследование структуры рекомбинационного излучения квантовых точек InAs, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs. / Талалаев, В.Г.; Новиков, Б.В.; Вербин, С.Ю.; Новиков, А.Б.; Динь, Шон Тхак; Гобш, Г.; Гольдхан, Р.; Штейн, Н.; Голомбек, А.; Цырлин, Г.Э.; Петров, В.Н.; Устинов, В.М.; Жуков, А.Е.; Егоров, А.Ю.

In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Vol. 34, No. 4, 2000, p. 467.

Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

Harvard

Талалаев, ВГ, Новиков, БВ, Вербин, СЮ, Новиков, АБ, Динь, ШТ, Гобш, Г, Гольдхан, Р, Штейн, Н, Голомбек, А, Цырлин, ГЭ, Петров, ВН, Устинов, ВМ, Жуков, АЕ & Егоров, АЮ 2000, 'Исследование структуры рекомбинационного излучения квантовых точек InAs, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs', ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, vol. 34, no. 4, pp. 467.

APA

Талалаев, В. Г., Новиков, Б. В., Вербин, С. Ю., Новиков, А. Б., Динь, Ш. Т., Гобш, Г., Гольдхан, Р., Штейн, Н., Голомбек, А., Цырлин, Г. Э., Петров, В. Н., Устинов, В. М., Жуков, А. Е., & Егоров, А. Ю. (2000). Исследование структуры рекомбинационного излучения квантовых точек InAs, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, 34(4), 467.

Vancouver

Author

Талалаев, В.Г. ; Новиков, Б.В. ; Вербин, С.Ю. ; Новиков, А.Б. ; Динь, Шон Тхак ; Гобш, Г. ; Гольдхан, Р. ; Штейн, Н. ; Голомбек, А. ; Цырлин, Г.Э. ; Петров, В.Н. ; Устинов, В.М. ; Жуков, А.Е. ; Егоров, А.Ю. / Исследование структуры рекомбинационного излучения квантовых точек InAs, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs. In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 2000 ; Vol. 34, No. 4. pp. 467.

BibTeX

@article{da8135e734bb43ca930ba95a71d3c0bd,
title = "Исследование структуры рекомбинационного излучения квантовых точек InAs, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs",
author = "В.Г. Талалаев and Б.В. Новиков and С.Ю. Вербин and А.Б. Новиков and Динь, {Шон Тхак} and Г. Гобш and Р. Гольдхан and Н. Штейн and А. Голомбек and Г.Э. Цырлин and В.Н. Петров and В.М. Устинов and А.Е. Жуков and А.Ю. Егоров",
year = "2000",
language = "не определен",
volume = "34",
pages = "467",
journal = "ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "4",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Исследование структуры рекомбинационного излучения квантовых точек InAs, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs

AU - Талалаев, В.Г.

AU - Новиков, Б.В.

AU - Вербин, С.Ю.

AU - Новиков, А.Б.

AU - Динь, Шон Тхак

AU - Гобш, Г.

AU - Гольдхан, Р.

AU - Штейн, Н.

AU - Голомбек, А.

AU - Цырлин, Г.Э.

AU - Петров, В.Н.

AU - Устинов, В.М.

AU - Жуков, А.Е.

AU - Егоров, А.Ю.

PY - 2000

Y1 - 2000

M3 - статья

VL - 34

SP - 467

JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

SN - 0015-3222

IS - 4

ER -

ID: 5458522