Исследование структуры рекомбинационного излучения квантовых точек InAs, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs › SPbU Researchers Portal

Исследование структуры рекомбинационного излучения квантовых точек InAs, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Department of Solid State Physics

В.Г. Талалаев
Б.В. Новиков
С.Ю. Вербин
А.Б. Новиков
Шон Тхак Динь
Г. Гобш
Р. Гольдхан
Н. Штейн
А. Голомбек
Г.Э. Цырлин
В.Н. Петров
В.М. Устинов
А.Е. Жуков
А.Ю. Егоров

Original language	Undefined
Pages (from-to)	467
Journal	ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ
Volume	34
Issue number	4
State	Published - 2000

ID: 5458522