Standard

Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярной пучковой эпитаксии. / Абрамов, А.П.; Абрамова, И.Н.; Вербин, С.Ю.; Герловин, И.Я.; Григорьев, С.Р.; Игнатьев, И.В.; Каримов, О.З.; Новиков, А.Б.; Новиков, Б.В.

In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, Vol. 27, No. 7, 1993, p. 1175-1179.

Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

Harvard

Абрамов, АП, Абрамова, ИН, Вербин, СЮ, Герловин, ИЯ, Григорьев, СР, Игнатьев, ИВ, Каримов, ОЗ, Новиков, АБ & Новиков, БВ 1993, 'Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярной пучковой эпитаксии', ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, vol. 27, no. 7, pp. 1175-1179.

APA

Абрамов, А. П., Абрамова, И. Н., Вербин, С. Ю., Герловин, И. Я., Григорьев, С. Р., Игнатьев, И. В., Каримов, О. З., Новиков, А. Б., & Новиков, Б. В. (1993). Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярной пучковой эпитаксии. ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ, 27(7), 1175-1179.

Vancouver

Author

Абрамов, А.П. ; Абрамова, И.Н. ; Вербин, С.Ю. ; Герловин, И.Я. ; Григорьев, С.Р. ; Игнатьев, И.В. ; Каримов, О.З. ; Новиков, А.Б. ; Новиков, Б.В. / Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярной пучковой эпитаксии. In: ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ. 1993 ; Vol. 27, No. 7. pp. 1175-1179.

BibTeX

@article{2c68950dc1454e3b8a5cf203b66ed381,
title = "Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярной пучковой эпитаксии",
author = "А.П. Абрамов and И.Н. Абрамова and С.Ю. Вербин and И.Я. Герловин and С.Р. Григорьев and И.В. Игнатьев and О.З. Каримов and А.Б. Новиков and Б.В. Новиков",
year = "1993",
language = "не определен",
volume = "27",
pages = "1175--1179",
journal = "ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "7",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - Фотолюминесценция вырожденного электронного газа в слоях GaAs:Si, выращенных методом молекулярной пучковой эпитаксии

AU - Абрамов, А.П.

AU - Абрамова, И.Н.

AU - Вербин, С.Ю.

AU - Герловин, И.Я.

AU - Григорьев, С.Р.

AU - Игнатьев, И.В.

AU - Каримов, О.З.

AU - Новиков, А.Б.

AU - Новиков, Б.В.

PY - 1993

Y1 - 1993

M3 - статья

VL - 27

SP - 1175

EP - 1179

JO - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

JF - ФИЗИКА И ТЕХНИКА ПОЛУПРОВОДНИКОВ

SN - 0015-3222

IS - 7

ER -

ID: 5326962