Методом компьютерного моделирования с применением неэмпирических квантово-механических расчетов изучена структура, фононные состояния и колебательные спектры бинарных сверхрешеток Si/SiO2, слои которых состоят из кристаллического кремния и β-кристобалита. Найдены устойчивые структуры сверх-решеток со сверхтонкими интерфейсами, состоящими всего из одного слоя атомов Si2+. Рассчитаны их ИК и КР-спектры, в которых выделены характеристические линии, по которым можно установить наличие интерфейсов данного типа.