Standard

Влияние условий отжига и легирования примесями сегнетоэлектрического HfO2 на межфазные границы системы Si/SiO2/HfO2/TiN. / Бугаев, Александр Викторович; Конашук, Алексей Сергеевич; Филатова, Елена Олеговна.

2022. 524-525 Abstract from XXVI международный симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника", Нижний Новгород, Russian Federation.

Research output: Contribution to conference › Abstract

Harvard

Бугаев, АВ, Конашук, АС & Филатова, ЕО 2022, 'Влияние условий отжига и легирования примесями сегнетоэлектрического HfO2 на межфазные границы системы Si/SiO2/HfO2/TiN', XXVI международный симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника", Нижний Новгород, Russian Federation, 14/03/22 - 17/03/22 pp. 524-525.

APA

Бугаев, А. В., Конашук, А. С., & Филатова, Е. О. (2022). Влияние условий отжига и легирования примесями сегнетоэлектрического HfO2 на межфазные границы системы Si/SiO2/HfO2/TiN. 524-525. Abstract from XXVI международный симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника", Нижний Новгород, Russian Federation.

Vancouver

Бугаев АВ, Конашук АС, Филатова ЕО. Влияние условий отжига и легирования примесями сегнетоэлектрического HfO2 на межфазные границы системы Si/SiO2/HfO2/TiN. 2022. Abstract from XXVI международный симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника", Нижний Новгород, Russian Federation.

Author

Бугаев, Александр Викторович ; Конашук, Алексей Сергеевич ; Филатова, Елена Олеговна. / Влияние условий отжига и легирования примесями сегнетоэлектрического HfO2 на межфазные границы системы Si/SiO2/HfO2/TiN. Abstract from XXVI международный симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника", Нижний Новгород, Russian Federation.2 p.

BibTeX

@conference{998ade0952604db097964f72be2060ca,
title = "Влияние условий отжига и легирования примесями сегнетоэлектрического HfO2 на межфазные границы системы Si/SiO2/HfO2/TiN",
author = "Бугаев, {Александр Викторович} and Конашук, {Алексей Сергеевич} and Филатова, {Елена Олеговна}",
year = "2022",
month = apr,
language = "русский",
pages = "524--525",
note = "XXVI международный симпозиум {"}Нанофизика и Наноэлектроника{"} ; Conference date: 14-03-2022 Through 17-03-2022",
url = "https://nanosymp.ru/",

}

RIS

TY - CONF

T1 - Влияние условий отжига и легирования примесями сегнетоэлектрического HfO2 на межфазные границы системы Si/SiO2/HfO2/TiN

AU - Бугаев, Александр Викторович

AU - Конашук, Алексей Сергеевич

AU - Филатова, Елена Олеговна

PY - 2022/4

Y1 - 2022/4

M3 - тезисы

SP - 524

EP - 525

T2 - XXVI международный симпозиум "Нанофизика и Наноэлектроника"

Y2 - 14 March 2022 through 17 March 2022

ER -

ID: 102223494