Standard

ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ ПОЛЯРИТОННЫХ ВОЛН В СТРУКТУРАХ С ШИРОКИМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ GAAS/ALGAAS. / Логинов, Д.К.; Убыйвовк, Е.В.; Ефимов, Ю.П.; Петров, В.В.; Елисеев, С.А.; Долгих, Ю.К.; Игнатьев, И.В.; Кочерешко, В.П.; Селькин, А.В.

In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, Vol. 48, No. 11, 2006, p. 1979-1987.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Логинов, ДК, Убыйвовк, ЕВ, Ефимов, ЮП, Петров, ВВ, Елисеев, СА, Долгих, ЮК, Игнатьев, ИВ, Кочерешко, ВП & Селькин, АВ 2006, 'ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ ПОЛЯРИТОННЫХ ВОЛН В СТРУКТУРАХ С ШИРОКИМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ GAAS/ALGAAS', ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, vol. 48, no. 11, pp. 1979-1987. <http://elibrary.ru/item.asp?id=9507304>

APA

Логинов, Д. К., Убыйвовк, Е. В., Ефимов, Ю. П., Петров, В. В., Елисеев, С. А., Долгих, Ю. К., Игнатьев, И. В., Кочерешко, В. П., & Селькин, А. В. (2006). ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ ПОЛЯРИТОННЫХ ВОЛН В СТРУКТУРАХ С ШИРОКИМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ GAAS/ALGAAS. ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА, 48(11), 1979-1987. http://elibrary.ru/item.asp?id=9507304

Vancouver

Логинов ДК, Убыйвовк ЕВ, Ефимов ЮП, Петров ВВ, Елисеев СА, Долгих ЮК et al. ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ ПОЛЯРИТОННЫХ ВОЛН В СТРУКТУРАХ С ШИРОКИМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ GAAS/ALGAAS. ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 2006;48(11):1979-1987.

Author

Логинов, Д.К. ; Убыйвовк, Е.В. ; Ефимов, Ю.П. ; Петров, В.В. ; Елисеев, С.А. ; Долгих, Ю.К. ; Игнатьев, И.В. ; Кочерешко, В.П. ; Селькин, А.В. / ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ ПОЛЯРИТОННЫХ ВОЛН В СТРУКТУРАХ С ШИРОКИМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ GAAS/ALGAAS. In: ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА. 2006 ; Vol. 48, No. 11. pp. 1979-1987.

BibTeX

@article{6c5a04c9c7314ae99736c2a88f13280e,
title = "ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ ПОЛЯРИТОННЫХ ВОЛН В СТРУКТУРАХ С ШИРОКИМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ GAAS/ALGAAS",
abstract = "Экспериментально исследованы спектры отражения света от полупроводниковых структур GaAs/AlGaAs с широкими квантовыми ямами. Теоретический анализ спектров выполнен в рамках экситон-поляритонной модели в приближении размерного квантования экситонного центра масс с учетом вкладов в поляризацию как тяжелых, так и легких экситонов. Оценены границы применимости теории квантования центра масс для гетероструктур GaAs/AlGaAs. Установлено, что для квантовых ям толщиной более 180 nm наблюдаемые в спектрах отражения эффекты интерференции поляритонных волн с хорошей точностью воспроизводятся в теоретическом расчете, основанном на квантовании экситонного центра масс. При толщинах квантовых ям менее 150 nm результаты эксперимента лучше описываются моделью квантования электронов и дырок.",
author = "Д.К. Логинов and Е.В. Убыйвовк and Ю.П. Ефимов and В.В. Петров and С.А. Елисеев and Ю.К. Долгих and И.В. Игнатьев and В.П. Кочерешко and А.В. Селькин",
year = "2006",
language = "русский",
volume = "48",
pages = "1979--1987",
journal = "ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА",
issn = "0367-3294",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "11",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ИНТЕРФЕРЕНЦИЯ ПОЛЯРИТОННЫХ ВОЛН В СТРУКТУРАХ С ШИРОКИМИ КВАНТОВЫМИ ЯМАМИ GAAS/ALGAAS

AU - Логинов, Д.К.

AU - Убыйвовк, Е.В.

AU - Ефимов, Ю.П.

AU - Петров, В.В.

AU - Елисеев, С.А.

AU - Долгих, Ю.К.

AU - Игнатьев, И.В.

AU - Кочерешко, В.П.

AU - Селькин, А.В.

PY - 2006

Y1 - 2006

N2 - Экспериментально исследованы спектры отражения света от полупроводниковых структур GaAs/AlGaAs с широкими квантовыми ямами. Теоретический анализ спектров выполнен в рамках экситон-поляритонной модели в приближении размерного квантования экситонного центра масс с учетом вкладов в поляризацию как тяжелых, так и легких экситонов. Оценены границы применимости теории квантования центра масс для гетероструктур GaAs/AlGaAs. Установлено, что для квантовых ям толщиной более 180 nm наблюдаемые в спектрах отражения эффекты интерференции поляритонных волн с хорошей точностью воспроизводятся в теоретическом расчете, основанном на квантовании экситонного центра масс. При толщинах квантовых ям менее 150 nm результаты эксперимента лучше описываются моделью квантования электронов и дырок.

AB - Экспериментально исследованы спектры отражения света от полупроводниковых структур GaAs/AlGaAs с широкими квантовыми ямами. Теоретический анализ спектров выполнен в рамках экситон-поляритонной модели в приближении размерного квантования экситонного центра масс с учетом вкладов в поляризацию как тяжелых, так и легких экситонов. Оценены границы применимости теории квантования центра масс для гетероструктур GaAs/AlGaAs. Установлено, что для квантовых ям толщиной более 180 nm наблюдаемые в спектрах отражения эффекты интерференции поляритонных волн с хорошей точностью воспроизводятся в теоретическом расчете, основанном на квантовании экситонного центра масс. При толщинах квантовых ям менее 150 nm результаты эксперимента лучше описываются моделью квантования электронов и дырок.

M3 - статья

VL - 48

SP - 1979

EP - 1987

JO - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

JF - ФИЗИКА ТВЕРДОГО ТЕЛА

SN - 0367-3294

IS - 11

ER -

ID: 5069014