Экспериментально исследованы спектры отражения света от полупроводниковых структур GaAs/AlGaAs с широкими квантовыми ямами. Теоретический анализ спектров выполнен в рамках экситон-поляритонной модели в приближении размерного квантования экситонного центра масс с учетом вкладов в поляризацию как тяжелых, так и легких экситонов. Оценены границы применимости теории квантования центра масс для гетероструктур GaAs/AlGaAs. Установлено, что для квантовых ям толщиной более 180 nm наблюдаемые в спектрах отражения эффекты интерференции поляритонных волн с хорошей точностью воспроизводятся в теоретическом расчете, основанном на квантовании экситонного центра масс. При толщинах квантовых ям менее 150 nm результаты эксперимента лучше описываются моделью квантования электронов и дырок.