Standard

КОЭФФИЦИЕНТЫ ЗЕРКАЛЬНОГО ОТРАЖЕНИЯ И ПРОПУСКАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПРОВОДИМОСТИ ЧЕРЕЗ ШЕРОХОВАТУЮ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ПРОСЛОЙКУ Specular reflectance and transmittance of conduction electrons traveling through rough thin dielectric layer. / Кучма, Анатолий Евдокимович; Ковалевский, Дмитрий Валерьевич; Воронин, Николай Владимирович.

In: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ, No. 4, 2008, p. 3-15.

Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

Harvard

APA

Vancouver

Author

Кучма, Анатолий Евдокимович ; Ковалевский, Дмитрий Валерьевич ; Воронин, Николай Владимирович. / КОЭФФИЦИЕНТЫ ЗЕРКАЛЬНОГО ОТРАЖЕНИЯ И ПРОПУСКАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПРОВОДИМОСТИ ЧЕРЕЗ ШЕРОХОВАТУЮ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ПРОСЛОЙКУ Specular reflectance and transmittance of conduction electrons traveling through rough thin dielectric layer. In: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ. 2008 ; No. 4. pp. 3-15.

BibTeX

@article{11da99e41a6e4c8aa71388924a4f0a60,
title = "КОЭФФИЦИЕНТЫ ЗЕРКАЛЬНОГО ОТРАЖЕНИЯ И ПРОПУСКАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПРОВОДИМОСТИ ЧЕРЕЗ ШЕРОХОВАТУЮ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ПРОСЛОЙКУ Specular reflectance and transmittance of conduction electrons traveling through rough thin dielectric layer",
abstract = "Рассмотрена система, состоящая из двух полубесконечных проводящих слоев, разделенных тонкой шероховатой диэлектрической прослойкой, через которую могут туннелировать электроны проводимости. Предложена простая модель для расчета коэффициентов зеркального отражения и пропускания электронов через прослойку. Указанные величины зависят от угла падения электрона, величины его квазиимпульса и статистических характеристик шероховатости интерфейса. Общие формулы конкретизированы для трех моделей корреляционной функции шероховатости (дельтаобразной, гауссовской и полиномиально-гауссовской) и проиллюстрированы численными расчетами. Развитая модель может применяться для описания широкого класса кинетических явлений в квазидвумерных слоистых структурах. Библиогр. 11 назв. Ил. 5.A system consisting of two conducting half-spaces separated by a rough thin dielectric layer through which the tunneling of conduction electrons takes place is considered. A simple model for calculating specular reflectance and transmittance of",
author = "Кучма, {Анатолий Евдокимович} and Ковалевский, {Дмитрий Валерьевич} and Воронин, {Николай Владимирович}",
year = "2008",
language = "русский",
pages = "3--15",
journal = "ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ",
issn = "1024-8579",
publisher = "Издательство Санкт-Петербургского университета",
number = "4",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - КОЭФФИЦИЕНТЫ ЗЕРКАЛЬНОГО ОТРАЖЕНИЯ И ПРОПУСКАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПРОВОДИМОСТИ ЧЕРЕЗ ШЕРОХОВАТУЮ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ПРОСЛОЙКУ Specular reflectance and transmittance of conduction electrons traveling through rough thin dielectric layer

AU - Кучма, Анатолий Евдокимович

AU - Ковалевский, Дмитрий Валерьевич

AU - Воронин, Николай Владимирович

PY - 2008

Y1 - 2008

N2 - Рассмотрена система, состоящая из двух полубесконечных проводящих слоев, разделенных тонкой шероховатой диэлектрической прослойкой, через которую могут туннелировать электроны проводимости. Предложена простая модель для расчета коэффициентов зеркального отражения и пропускания электронов через прослойку. Указанные величины зависят от угла падения электрона, величины его квазиимпульса и статистических характеристик шероховатости интерфейса. Общие формулы конкретизированы для трех моделей корреляционной функции шероховатости (дельтаобразной, гауссовской и полиномиально-гауссовской) и проиллюстрированы численными расчетами. Развитая модель может применяться для описания широкого класса кинетических явлений в квазидвумерных слоистых структурах. Библиогр. 11 назв. Ил. 5.A system consisting of two conducting half-spaces separated by a rough thin dielectric layer through which the tunneling of conduction electrons takes place is considered. A simple model for calculating specular reflectance and transmittance of

AB - Рассмотрена система, состоящая из двух полубесконечных проводящих слоев, разделенных тонкой шероховатой диэлектрической прослойкой, через которую могут туннелировать электроны проводимости. Предложена простая модель для расчета коэффициентов зеркального отражения и пропускания электронов через прослойку. Указанные величины зависят от угла падения электрона, величины его квазиимпульса и статистических характеристик шероховатости интерфейса. Общие формулы конкретизированы для трех моделей корреляционной функции шероховатости (дельтаобразной, гауссовской и полиномиально-гауссовской) и проиллюстрированы численными расчетами. Развитая модель может применяться для описания широкого класса кинетических явлений в квазидвумерных слоистых структурах. Библиогр. 11 назв. Ил. 5.A system consisting of two conducting half-spaces separated by a rough thin dielectric layer through which the tunneling of conduction electrons takes place is considered. A simple model for calculating specular reflectance and transmittance of

M3 - статья

SP - 3

EP - 15

JO - ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ

JF - ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ

SN - 1024-8579

IS - 4

ER -

ID: 5031718