Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
КОЭФФИЦИЕНТЫ ЗЕРКАЛЬНОГО ОТРАЖЕНИЯ И ПРОПУСКАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПРОВОДИМОСТИ ЧЕРЕЗ ШЕРОХОВАТУЮ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ПРОСЛОЙКУ Specular reflectance and transmittance of conduction electrons traveling through rough thin dielectric layer. / Кучма, Анатолий Евдокимович; Ковалевский, Дмитрий Валерьевич; Воронин, Николай Владимирович.
In: ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. СЕРИЯ 4: ФИЗИКА, ХИМИЯ, No. 4, 2008, p. 3-15.Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
}
TY - JOUR
T1 - КОЭФФИЦИЕНТЫ ЗЕРКАЛЬНОГО ОТРАЖЕНИЯ И ПРОПУСКАНИЯ ЭЛЕКТРОНОВ ПРОВОДИМОСТИ ЧЕРЕЗ ШЕРОХОВАТУЮ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКУЮ ПРОСЛОЙКУ Specular reflectance and transmittance of conduction electrons traveling through rough thin dielectric layer
AU - Кучма, Анатолий Евдокимович
AU - Ковалевский, Дмитрий Валерьевич
AU - Воронин, Николай Владимирович
PY - 2008
Y1 - 2008
N2 - Рассмотрена система, состоящая из двух полубесконечных проводящих слоев, разделенных тонкой шероховатой диэлектрической прослойкой, через которую могут туннелировать электроны проводимости. Предложена простая модель для расчета коэффициентов зеркального отражения и пропускания электронов через прослойку. Указанные величины зависят от угла падения электрона, величины его квазиимпульса и статистических характеристик шероховатости интерфейса. Общие формулы конкретизированы для трех моделей корреляционной функции шероховатости (дельтаобразной, гауссовской и полиномиально-гауссовской) и проиллюстрированы численными расчетами. Развитая модель может применяться для описания широкого класса кинетических явлений в квазидвумерных слоистых структурах. Библиогр. 11 назв. Ил. 5.A system consisting of two conducting half-spaces separated by a rough thin dielectric layer through which the tunneling of conduction electrons takes place is considered. A simple model for calculating specular reflectance and transmittance of
AB - Рассмотрена система, состоящая из двух полубесконечных проводящих слоев, разделенных тонкой шероховатой диэлектрической прослойкой, через которую могут туннелировать электроны проводимости. Предложена простая модель для расчета коэффициентов зеркального отражения и пропускания электронов через прослойку. Указанные величины зависят от угла падения электрона, величины его квазиимпульса и статистических характеристик шероховатости интерфейса. Общие формулы конкретизированы для трех моделей корреляционной функции шероховатости (дельтаобразной, гауссовской и полиномиально-гауссовской) и проиллюстрированы численными расчетами. Развитая модель может применяться для описания широкого класса кинетических явлений в квазидвумерных слоистых структурах. Библиогр. 11 назв. Ил. 5.A system consisting of two conducting half-spaces separated by a rough thin dielectric layer through which the tunneling of conduction electrons takes place is considered. A simple model for calculating specular reflectance and transmittance of
M3 - статья
SP - 3
EP - 15
JO - ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ
JF - ВЕСТНИК САНКТ-ПЕТЕРБУРГСКОГО УНИВЕРСИТЕТА. ФИЗИКА И ХИМИЯ
SN - 1024-8579
IS - 4
ER -
ID: 5031718